[發(fā)明專利]具有低磁滯損耗的磁性復合薄膜及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011532023.9
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN114622168A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發(fā)明（設計）人: 馮武威;朱坤
• 申請（專利權）人: 中國地質大學（北京）
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/16;H01F41/20
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有低磁滯損耗的磁性復合薄膜材料，其特征在于是通過電子束交替蒸發(fā)的方法制得，使Zr層和Si層充分插入到FeCo結構中，表示為CoZr_xFeSi(x＝0.02/0.03)。

2.根據(jù)權利要求1所述的具有低磁滯損耗的磁性存儲材料，其特征在于所述磁性金屬材料選自Fe、Co、Zr，或者選自FeCo合金；非金屬材料選自Si。

3.一種如權利要求1所述的具有低磁滯損耗的磁性復合薄膜材料的制備方法，其特征在于：采用電子束交替蒸發(fā)的工藝，真空度為1×10^-3pa--1×10^-4pa；將金屬材料和非金屬材料蒸發(fā)在清洗干凈的絕緣襯底上，形成50nm--60nm厚度的磁性復合薄膜；其中，控制薄膜的生長溫度在100℃--300℃。