[發明專利]一種發光層及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 202011520919.5
• 申請日: 2020-12-21
• 公開（公告）號: CN112652694A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 張志寬;高丹鵬;楊麗敏;徐冰;孫小衛
• 申請（專利權）人: 深圳撲浪創新科技有限公司
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/44;H01L33/26;H01L33/00;H01L27/15
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 潘登

1.一種發光層，其特征在于，所述發光層包括藍光驅動電路以及設置在所述藍光驅動電路上的至少兩個顯示單元，所述顯示單元包括依次并排設置的綠光發光單元、紅光發光單元和藍光發光單元；

所述綠光發光單元由層疊設置的第一藍光光源層和綠光量子點沉積層組成，且所述第一藍光光源層靠近所述藍光驅動電路；

所述紅光發光單元由層疊設置的第二藍光光源層和紅光量子點沉積層組成，且所述第二藍光光源層靠近所述藍光驅動電路；

所述藍光發光單元為第三藍光光源層。

2.根據權利要求1所述的發光層，其特征在于，所述紅光量子點沉積層和綠光量子點沉積層各自獨立地呈線狀子像素條的形狀；

優選地，所述子像素條的寬度為1-45μm；

優選地，所述量子點沉積基板包括透明絕緣基材和薄膜的組合，且所述薄膜靠近綠光量子點沉積層或紅光量子點沉積層；

優選地，所述透明絕緣基材的材料包括聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺、聚丙烯或無機玻璃中的任意一種；

優選地，所述薄膜包括ITO薄膜；

優選地，所述ITO薄膜的材料包括三氧化二銦和二氧化錫的組合。

3.根據權利要求1或2所述的顯示器件，其特征在于，所述第一藍光光源層、第二藍光光源層和第三藍光光源層各自獨立地包括LED芯片；

優選地，所述LED芯片的長和寬各自獨立地為1-50μm。

4.根據權利要求1-3任一項所述的發光層，其特征在于，所述紅光量子點沉積層包括紅光量子點材料；

優選地，所述綠光量子點沉積層包括綠光量子點材料；

優選地，所述紅光量子點材料和綠光量子點材料各自獨立地包括A_xM_yE_z體系材料以及依次包覆在A_xM_yE_z體系材料表面的包覆層材料和配體材料，所述x為0.3-2.0，y為0.5-3.0，z為0-4.0；

所述A為Ba、Ag、Na、Fe、In、Cd、Zn、Ga、Mg、Pb或Cs中的任意一種；

所述M為S、Cl、O、As、N、P、Se、Te、Ti、Zr或Pb中的任意一種；

所述E為S、As、Se、O、Cl、Br或I中的任意一種；

優選地，所述A_xM_yE_z體系材料包括GaN、CdSe、InP或CsPbBr₃中的任意一種或至少兩種的組合；

優選地，所述包覆層材料包括有機高分子溶液和/或無機化合物；

優選地，所述配體材料包括有機鹽類；

優選地，所述有機鹽包括醋酸鈉、乙吡啶酸鹽、乙醇鈉、溴化四丁基銨鹽、溴化銨、氯化銨或硫酸銨中的任意一種或至少兩種的組合等；

優選地，所述紅光量子點材料的粒徑為7-12nm；

優選地，所述綠光量子點材料的粒徑為3-7nm；

優選地，所述紅光量子點材料的發光峰值波長為600-660nm；

優選地，所述綠光量子點材料的發光峰值波長為510-550nm；

優選地，所述紅光量子點材料的發射光半峰寬＜35nm；

優選地，所述綠光量子點材料的發射光半峰寬＜35nm。

5.根據權利要求1-4任一項所述的發光層，其特征在于，所述發光層還包括設置在至少兩個顯示單元之間的像素擋墻；

優選地，所述像素擋墻的制備原料包括不透光粒子、樹脂、溶劑和光引發劑的組合；

優選地，所述不透光粒子包括無機物和/或有機染料；

優選地，所述不透光粒子的直徑為200-2000nm。

6.一種根據權利要求1-5任一項所述的發光層的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：在藍光驅動電路上并排安裝第一藍光光源層、第二藍光光源層和第三藍光光源層，將紅光量子點電沉積溶液和綠光量子點電沉積溶液通過電沉積的方法沉積在量子點沉積基板上，將得到的紅光量子點沉積層和綠光量子點沉積層分別安裝在置于藍光驅動電路上的第一藍光光源層和第二藍光光源層之上，得到所述發光層。