[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202011515121.1
• 申請日: 2020-12-21
• 公開（公告）號: CN113053910A
• 公開（公告）日: 2021-06-29
• 發明（設計）人: 丁義潭;禹映范;金炳圭;金恩知;白承祐
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L25/18
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 尹淑梅;劉燦強

提供了一種半導體裝置。所述半導體裝置包括：絕緣結構；多個水平層，在絕緣結構中豎直堆疊且彼此間隔開；導電材料圖案，接觸絕緣結構；以及豎直結構，穿透通過所述多個水平層并且延伸到絕緣結構上的導電材料圖案中。所述多個水平層中的每個包括導電材料，豎直結構包括豎直部分和突出部分，豎直結構的豎直部分穿透通過所述多個水平層，豎直結構的突出部分從豎直部分延伸到導電材料圖案中，豎直部分的寬度比突出部分的寬度大，突出部分的側表面與導電材料圖案接觸。

本申請要求于2019年12月26日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0175041號韓國專利申請的優先權的權益，該韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。

技術領域

本發明構思涉及一種半導體裝置和相關的制造方法。

背景技術

隨著半導體裝置變得更小并且需要更高容量的數據處理，會需要提高構成這種半導體裝置的元件的集成度。作為一個用于改善元件的集成度的這種方法，已經提出了具有垂直晶體管結構代替平面晶體管結構的半導體裝置。

發明內容

本發明構思的方面在于提供一種能夠改善集成度的半導體裝置。

根據本發明構思的一方面，提供了一種半導體裝置。該半導體裝置包括：第一芯片結構；以及第二芯片結構，結合到第一芯片結構。第一芯片結構包括：半導體基底；第一絕緣結構，位于半導體基底上；外圍電路，位于第一絕緣結構中；以及第一接合墊，位于第一絕緣結構中。第二芯片結構包括：第二絕緣結構；導電材料圖案，位于第二絕緣結構上；多個水平層，在第二絕緣結構中豎直堆疊且彼此間隔開；豎直結構，穿透通過所述多個水平層并且延伸到第二絕緣結構上的導電材料圖案中；以及第二接合墊，位于第二絕緣結構中。第一絕緣結構和第二絕緣結構彼此接觸，第一接合墊和第二接合墊彼此接觸，豎直結構包括豎直部分和從豎直部分延伸的突出部分，豎直結構的豎直部分穿透通過所述多個水平層，豎直結構的突出部分從豎直部分延伸到導電材料圖案中，豎直結構包括從豎直部分延伸到突出部分的溝道層，溝道層的位于突出部分中的側表面與導電材料圖案接觸。

根據本發明構思的一方面，提供了一種半導體裝置。該半導體裝置包括：絕緣結構；多個水平層，在絕緣結構中豎直堆疊并且彼此間隔開；導電材料圖案，接觸絕緣結構；以及豎直結構，穿透通過所述多個水平層并且延伸到絕緣結構上的導電材料圖案中。所述多個水平層中的每個包括導電材料，豎直結構包括豎直部分和突出部分，豎直結構的豎直部分穿透通過所述多個水平層，豎直結構的突出部分從豎直部分延伸到導電材料圖案中，在豎直結構中，豎直部分的寬度比突出部分的寬度大，突出部分的側表面與導電材料圖案接觸。

根據本發明構思的一方面，提供了一種半導體裝置。該半導體裝置包括：基底；第一絕緣結構，位于基底上；第一接合墊，第一接合墊的各自的上表面與第一絕緣結構的上表面共面；第二絕緣結構，位于第一絕緣結構上；第二接合墊，第二接合墊的各自的下表面在第二絕緣結構中與第二絕緣結構的下表面共面；多個水平層，在第二絕緣結構中豎直堆疊且彼此間隔開；導電材料圖案，位于第二絕緣結構上；以及豎直結構，穿透通過所述多個水平層并且延伸到第二絕緣結構上的導電材料圖案中。第一絕緣結構和第二絕緣結構彼此接觸，第一接合墊和第二接合墊彼此接觸，豎直結構包括豎直部分和寬度比豎直部分的寬度窄的突出部分，豎直結構的豎直部分穿透通過所述多個水平層，豎直結構的突出部分從豎直部分延伸到導電材料圖案中，突出部分的側表面與導電材料圖案接觸。

附圖說明

通過結合附圖進行的以下詳細描述，將更清楚地理解本發明構思的上面的和其它的方面、特征和優點，在附圖中：

圖1是示出根據本發明構思的實施例的半導體裝置的示意性分解透視圖。

圖2是示意性地示出根據本發明構思的實施例的半導體裝置的一些組件的平面圖。

圖3是示出根據本發明構思的實施例的半導體裝置的示例的剖視圖。

圖4是示出根據本發明構思的實施例的半導體裝置的示例的局部放大圖。