[發(fā)明專利]在強(qiáng)磁場(chǎng)條件下測(cè)量導(dǎo)電流體中速度和渦量的裝置及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011515059.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-12-21 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112665821B | 公開(公告)日: | 2023-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陽倦成;張祥飛;呂澤;張年梅;倪明玖 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安交通大學(xué);中國(guó)科學(xué)院大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01M10/00 | 分類號(hào): | G01M10/00;G01P5/08 |
| 代理公司: | 西安智大知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61215 | 代理人: | 弋才富 |
| 地址: | 710049 陜*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 磁場(chǎng) 條件下 測(cè)量 導(dǎo)電 流體 速度 裝置 方法 | ||
在強(qiáng)磁場(chǎng)條件下測(cè)量導(dǎo)電流體中速度和渦量的裝置及方法,裝置包括通道內(nèi)可移動(dòng)的浸入式的探針,控制探針運(yùn)動(dòng)的位移裝置,通過屏蔽線連接探針電勢(shì)信號(hào)的多通道高精度同步電壓采集系統(tǒng);基于電勢(shì)探針原理,將探針采集到的電勢(shì)信號(hào),與流速建立關(guān)系,直接得到流場(chǎng)的局部速度分布,通過電勢(shì)差和磁場(chǎng)強(qiáng)度測(cè)得渦量;本發(fā)明通過信號(hào)采集和數(shù)據(jù)處理,能夠在外部強(qiáng)磁場(chǎng)條件下,高精度測(cè)量液態(tài)金屬流場(chǎng)內(nèi)部局部速度和渦量分布,解決強(qiáng)磁場(chǎng)下液態(tài)金屬局部流場(chǎng)特征的高精度測(cè)量的難題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于流體測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種在強(qiáng)磁場(chǎng)條件下測(cè)量導(dǎo)電流體中速度和渦量的裝置及方法。
背景技術(shù)
液態(tài)金屬流動(dòng)現(xiàn)象可以理解為電磁學(xué)與流體動(dòng)力學(xué)特性的結(jié)合,其蘊(yùn)含豐富的基礎(chǔ)研究意義。在磁約束核聚變裝置的包層結(jié)構(gòu)中,金屬流體在磁場(chǎng)中的流動(dòng)問題是一個(gè)重大的研究方向,另外,在一些工業(yè)過程中,比如金屬冶煉過程中,需要利用外加磁場(chǎng)實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬流體的流動(dòng)控制。如何在高溫強(qiáng)磁場(chǎng)的條件下實(shí)現(xiàn)對(duì)金屬流體流場(chǎng)特征的精確測(cè)量一直以來是一個(gè)嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),而且,由于金屬流體不透光、容易氧化、高導(dǎo)電率、高導(dǎo)熱性等特征,使得對(duì)于流速的直接測(cè)量變得更加困難。
依據(jù)文獻(xiàn)調(diào)研,可用于測(cè)量磁場(chǎng)條件下液態(tài)金屬流動(dòng)內(nèi)部流場(chǎng)特征的方案有:
1、直接接觸的測(cè)量方法:(1)電勢(shì)探針法。通過探針浸入液態(tài)金屬并保持與流體良好的電接觸,測(cè)量恒定磁場(chǎng)中流體產(chǎn)生的垂直于磁場(chǎng)方向的電勢(shì)差來得到流場(chǎng)局部速度。其優(yōu)勢(shì)是時(shí)間分辨率高,探針和間距可以設(shè)計(jì)的非常小以提高空間測(cè)量精度,也便于設(shè)計(jì)為壁面矩陣式陣列以得到豐富的瞬態(tài)流場(chǎng)信息;(2)電阻探針法。其原理是液相通過探針區(qū)域時(shí)測(cè)得的電阻顯著下降,而氣相通過時(shí)電阻急劇升高。該方法常用于液態(tài)金屬兩相流的測(cè)量,必須謹(jǐn)慎調(diào)節(jié)探針與液體的電接觸性能;(3)熱線測(cè)速儀技術(shù)。該方法與傳統(tǒng)熱線風(fēng)速計(jì)原理一致,基于加熱狀態(tài)下的電阻絲與流場(chǎng)的熱交換,其溫度與周邊液體流速呈線性相關(guān);(4)精密光學(xué)-機(jī)械方法。該方法基于流體對(duì)浸入的微小探頭的機(jī)械作用力。但是,對(duì)安裝精度要求很高。
2、間接接觸的測(cè)量方法:脈沖超聲波多普勒測(cè)速法。超聲波探頭向流體中發(fā)送單一方向的脈沖,同時(shí)接受被不同距離處的流體微團(tuán)反射的信號(hào)。通過發(fā)送到接收信號(hào)的時(shí)間差計(jì)算出流體微團(tuán)的空間位置,通過發(fā)送到接收信號(hào)的多普勒頻移計(jì)算出流體微團(tuán)的速度。在該方法中,探頭可以裝入壁面而不必浸入液體,對(duì)流場(chǎng)無影響。但是,根據(jù)超聲信號(hào)只能得到超聲波發(fā)射方向的一維流場(chǎng)信息,且超聲信號(hào)受到周圍環(huán)境噪聲和磁場(chǎng)噪聲的影響顯著。
3、非接觸的測(cè)量方法:(1)射線測(cè)量方法。通過γ射線,X射線和中子射線在液態(tài)金屬流場(chǎng)中照射,得到的圖像可以分析出豐富的二維流場(chǎng)信息。然而射線在流體中衰減很快,其在沿射線方向的測(cè)量深度通常僅為厘米級(jí)。而且,該方法主要用于液態(tài)金屬兩相流的研究,主要的技術(shù)限制在于提高其時(shí)間分辨率以及改進(jìn)為三維測(cè)量系統(tǒng);(2)洛倫茲力測(cè)速計(jì)方法。通過測(cè)量流體產(chǎn)生的感應(yīng)磁場(chǎng)對(duì)永磁體的反作用力來得到流速。但是,其空間分辨率受限于永磁體的尺寸,時(shí)間分辨受限限于傳感器的機(jī)械結(jié)構(gòu)特性。
綜上,要實(shí)現(xiàn)強(qiáng)磁場(chǎng)下金屬流體內(nèi)部任意局部的速度和渦量的測(cè)量,最直接有效的方法是通過直接接觸的電勢(shì)探針方法來實(shí)現(xiàn)。
發(fā)明內(nèi)容
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明的目的在于提供在強(qiáng)磁場(chǎng)條件下測(cè)量導(dǎo)電流體中速度和渦量的裝置及方法,基于電勢(shì)探針原理,通過信號(hào)采集和數(shù)據(jù)處理,能夠在外部強(qiáng)磁場(chǎng)條件下,高精度測(cè)量液態(tài)金屬流場(chǎng)內(nèi)部局部速度和渦量分布。解決強(qiáng)磁場(chǎng)下液態(tài)金屬局部流場(chǎng)特征的高精度測(cè)量的難題。
為了達(dá)到上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案為:
在強(qiáng)磁場(chǎng)條件下測(cè)量導(dǎo)電流體中速度和渦量的裝置,包括可移動(dòng)的浸入式的探針5,控制探針5運(yùn)動(dòng)的位移裝置6,通過屏蔽線7連接探針5電勢(shì)信號(hào)的多通道高精度同步電壓采集系統(tǒng)8;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西安交通大學(xué);中國(guó)科學(xué)院大學(xué),未經(jīng)西安交通大學(xué);中國(guó)科學(xué)院大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011515059.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 磁場(chǎng)調(diào)節(jié)用裝置、磁場(chǎng)調(diào)節(jié)方法和記錄媒體
- 一種磁性理療生物枕
- 磁場(chǎng)檢測(cè)裝置
- 磁場(chǎng)感測(cè)裝置及其磁場(chǎng)感測(cè)方法
- 一種雙向磁控電弧式焊縫跟蹤傳感器
- 磁場(chǎng)天線板、三維磁場(chǎng)天線和磁場(chǎng)探頭
- 磁場(chǎng)檢測(cè)模塊及磁場(chǎng)探頭
- 一種原子式磁強(qiáng)計(jì)梯度容差校準(zhǔn)裝置
- 基于低頻磁場(chǎng)的定位系統(tǒng)、設(shè)備及方法
- 混合磁場(chǎng)裝置、混合磁場(chǎng)系統(tǒng)
- 測(cè)量設(shè)備、測(cè)量系統(tǒng)及測(cè)量方法
- 測(cè)量裝置、測(cè)量配件和測(cè)量方法
- 測(cè)量尺的測(cè)量組件及測(cè)量尺
- 測(cè)量輔助裝置、測(cè)量裝置和測(cè)量系統(tǒng)
- 測(cè)量觸頭、測(cè)量組件和測(cè)量裝置
- 測(cè)量觸頭、測(cè)量組件和測(cè)量裝置
- 測(cè)量容器、測(cè)量系統(tǒng)及測(cè)量方法
- 測(cè)量裝置、測(cè)量系統(tǒng)、測(cè)量程序以及測(cè)量方法
- 測(cè)量裝置、測(cè)量系統(tǒng)及測(cè)量方法
- 測(cè)量電路、測(cè)量方法及測(cè)量設(shè)備
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
- 導(dǎo)電糊劑及導(dǎo)電圖案
- 導(dǎo)電圖案的形成方法、導(dǎo)電膜、導(dǎo)電圖案及透明導(dǎo)電膜
- 導(dǎo)電片和導(dǎo)電圖案
- 導(dǎo)電漿料和導(dǎo)電膜
- 導(dǎo)電端子及導(dǎo)電端子的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
- 導(dǎo)電構(gòu)件及使用多個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件的導(dǎo)電電路
- 導(dǎo)電型材和導(dǎo)電裝置
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜





