[發(fā)明專利]一種具有POI結(jié)構(gòu)的蘭姆波諧振器在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011508417.0 | 申請日： | 2020-12-18 |
| 公開（公告）號： | CN112702036A | 公開（公告）日： | 2021-04-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 許欣;李紅浪;柯亞兵 | 申請（專利權(quán)）人： | 廣東廣納芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H03H9/02 | 分類號： | H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡悅 |
| 地址： | 510700 廣東省廣州*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 具有 poi 結(jié)構(gòu) 蘭姆波 諧振器 | ||
1.一種具有POI結(jié)構(gòu)的蘭姆波諧振器，所述蘭姆波諧振器包括：
高聲速材料襯底；以及
位于所述高聲速材料襯底上方的壓電層，所述壓電層的上表面和下表面上分別設(shè)置有第一和第二叉指換能器，其中所述第一和第二叉指換能器的叉指電極隔著所述壓電層在層疊方向上彼此相對，且具有相同的電極寬度、電極厚度、電極間距、占空比p以及激發(fā)聲波波長λ，其中
占空比p＝電極寬度÷(電極寬度+電極間距)，并且
其中所述占空比p被設(shè)置為0.2－0.5。
2.如權(quán)利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述占空比p被設(shè)置為0.4。
3.如權(quán)利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述蘭姆波諧振器進一步包括：設(shè)置在所述高聲速材料襯底和所述壓電層之間的低聲速材料介質(zhì)層。
4.如權(quán)利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述高聲速材料為4H-SiC或6H-SiC。
5.如權(quán)利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述壓電層的材料為30°YX-LiNbO3。
6.如權(quán)利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述波長λ為2μm。
7.如權(quán)利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述高聲速材料襯底的厚度為5λ，并且所述壓電層的厚度為0.6λ。
8.如權(quán)利要求3所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述低聲速材料為SiO2，所述介質(zhì)層的厚度為0.075λ－0.1λ。
9.如權(quán)利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述電極寬度為0.5λ*p，所述電極間距為0.5λ*(1-p)。
10.如權(quán)利要求1所述的蘭姆波諧振器，其特征在于，所述電極厚度為50nm。
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- POI數(shù)據(jù)處理方法及其裝置、POI檢索方法及其裝置
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