[發明專利]一種低能耗的無采樣電阻峰值電流檢測電路

在審

• 申請號: 202011508310.6
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN112595880A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 吳建良;顧南昌;吳潔
• 申請（專利權）人: 無錫恒芯微科技有限公司
• 主分類號: G01R19/04
• 分類號: G01R19/04
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260
• 代理人: 朱曉林

本發明涉及電源管理領域,公開了一種低能耗的無采樣電阻峰值電流檢測電路，包括比例電流轉換電路和電壓比較電路，比例電流轉換電路包括第一比例轉換單元、第二比例轉換單元、第三比例轉換單元和電阻R1,第一比例轉換單元將外部電流轉換為第一中間電流IG1，第二比例轉換單元和第三比例轉換單元粉筆將第一中間電流IG1轉換為第二中間電流IG2和第三中間電流IG3，第二中間電流IG2和第三中間電流IG3共同輸入到電阻R1一端，第二中間電流和第三中間電流共同輸入到電阻R1一端，電阻R1另一端接地，電壓比較電路與電阻R1未接地的一端電連接，當應用本發明的電源管理芯片處于待機狀態時通過第三比例轉換單元可以有效降低待機功耗。

技術領域

本發明涉及電源管理領域，具體涉及一種低能耗的無采樣電阻峰值電流檢測電路。

背景技術

授權公開號為CN211826214U的專利文獻公開了一種無采樣電阻的峰值電流檢測電路，該電路通過比例電流轉換電路實現電流檢測，不用再電源管理芯片外圍連接采樣電阻，簡化了電源管理芯片的外圍應用方案，節約成本。然而該電路在實際使用時無論電源管理芯片處于空載狀態還是滿載狀態，在進行電流檢測時流過三極管NPN1的電流峰值始終是相同的，功耗較高。

發明內容

鑒于背景技術的不足，本發明是提供了一種低能耗的無采樣電阻峰值電流檢測電路，所要解決的技術問題是現有無采樣電阻的峰值電流檢測電路在工作時的功耗過高。

為解決以上技術問題，本發明提供了如下技術方案：一種低能耗的無采樣電阻峰值電流檢測電路，包括比例電流轉換電路和電壓比較電路，比例電流轉換電路接入外部電流、被配置于將外部電流轉換為電壓輸出，比例電流轉換電路的輸出端電連接電壓比較電路，電壓比較電路還電連接基準電壓，比例電流轉換電路包括第一比例轉換單元、第二比例轉換單元、第三比例轉換單元和電阻R1,第一比例轉換單元將外部電流轉換為第一中間電流IG1，第二比例轉換單元將第一中間電流IG1轉換為第二中間電流IG2，第三比例轉換單元將第一中間電流IG1轉換為第三中間電流IG3，第二中間電流IG2和第三中間電流IG3共同輸入到電阻R1一端，第二中間電流和第三中間電流共同輸入到電阻R1一端，電阻R1另一端接地，電壓比較電路與電阻R1未接地的一端電連接。

作為進一步的技術方案，第一比例轉換單元包括三極管NPN1、二極管D1、第一NMOS管MN1和第二NMOS管MN2，第二比例轉換單元包括第三NMOS管MN3、第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2和第一運算放大器A1，三極管NPN1的集電極接入外部電流，三極管NPN1的發射極分別電連接二極管D1的正極、第一NMOS管MN1的漏極和第一運算放大器A1的正向輸入端，第一NMOS管MN1的柵極電連接第二NMOS管MN2的柵極，第一NMOS管MN1的源極和第二NMOS管MN2的源極均接地；第一PMOS管MP1的源極和第二PMOS管MP2的源極均接入電源V2，第一PMOS管MP1的柵極分別電連接第二PMOS管MP2的柵極、第一PMOS管MP1的源極和第三NMOS管MN3的漏極，第三NMOS管MN3的源極分別電連接第二NMOS管MN2的漏極和第一運算放大器A1的負向輸入端，第一運算放大器A1的輸出端電連接第三NMOS管MN3的柵極，第二PMOS管MP2的漏極通過電阻R1接地；第三比例轉換單元包括第三PMOS管MP3、第四NMOS管MN4和第四PMOS管MP4，第三PMOS管MP3的源極與電源V2電連接，第三PMOS管MP3的柵極與第二PMOS管MP2的柵極電連接，第三PMOS管MP3的漏極與第四NMOS管MN4的源極電連接，第四NMOS管MN4的柵極電連接狀態判斷單元的輸出端，狀態判斷單元的第一輸入端接入基準電壓VF1、第二輸入端接入退磁電壓FB，狀態判斷單元在退磁電壓FB小于基準電壓VF3時驅動第四NMOS管MN4導通,使基準電壓VF1接入第四NMOS管MN4的柵極，在退磁電壓FB大于基準電壓VF3時驅動第四NMOS管MN4斷開，第四NMOS管MN4的漏極與第四PMOS管MP4的源極電連接，第四PMOS管的柵極與驅動單元電連接，驅動單元輸入到第四PMOS管的柵極的電壓可調，第四PMOS管MP4的漏極與電阻R1一端電連接。