[發明專利]激光退火熔化深度確定方法、裝置及電子設備

在審

• 申請號: 202011507707.3
• 申請日: 2020-12-18
• 公開（公告）號: CN112687538A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 蔣一鳴;陳靜;王紀軍
• 申請（專利權）人: 北京華卓精科科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324
• 代理公司: 北京薈英捷創知識產權代理事務所(普通合伙) 11726
• 代理人: 張陽

1.一種激光退火熔化深度確定方法，其特征在于，包括：

獲取晶圓樣品的雜質注入參數及預先建立的參數關系表；其中，所述參數關系表是基于自然結深確定所述晶圓樣品在多個熔化深度下的方塊電阻得到的，所述自然結深是基于所述雜質注入參數確定的；

檢測所述晶圓樣品退火后的方塊電阻，得到所述晶圓樣品的實測電阻；

從所述參數關系表中獲取所述雜質注入參數及與所述實測電阻相等的方塊電阻對應的熔化深度，得到所述晶圓樣品的熔化深度。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述參數關系表的建立步驟，包括：

獲取晶圓樣品在多種雜質注入參數下對應的自然結深；

基于各所述雜質注入參數下所述自然結深與熔化深度的關系，確定所述晶圓樣品的熔化深度取不同取值時對應的方塊電阻；

基于所述晶圓樣品的熔化深度取不同取值時對應的方塊電阻建立所述參數關系表。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于各所述雜質注入參數下所述自然結深與熔化深度的關系，確定所述晶圓樣品的熔化深度取不同取值時對應的方塊電阻的步驟，包括：

獲取所述晶圓樣品在各所述雜質注入參數下的雜質分布曲線；

基于所述雜質分布曲線確定所述晶圓樣品的表面與所述熔化深度之間的第一電阻率；

當所述熔化深度小于所述自然結深時，對所述雜質分布曲線進行微分計算，確定所述晶圓樣品在所述熔化深度與所述自然結深之間的第二電阻率；

基于所述第一電阻率和所述第二電阻率，確定所述晶圓樣品在不同熔化深度下的方塊電阻。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：

當所述熔化深度大于等于所述自然結深時，基于所述第一電阻率確定所述晶圓樣品在不同熔化深度下的方塊電阻。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述雜質分布曲線確定所述晶圓樣品的表面與所述熔化深度之間的第一電阻率的步驟，包括：

基于所述雜質分布曲線確定所述晶圓樣品表面與所述熔化深度之間的平均雜質濃度；

基于所述平均雜質濃度對所述雜質分布曲線進行積分計算，確定所述晶圓樣品表面與所述熔化深度之間的第一總雜質劑量；

基于所述第一總雜質劑量及所述熔化深度確定所述晶圓樣品表面至所述熔化深度之間的第一電阻率。

6.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述對所述雜質分布曲線進行微分計算，確定所述晶圓樣品在所述熔化深度與所述自然結深之間的第二電阻率的步驟，包括：

對所述雜質分布曲線中所述熔化深度至所述自然結深區間進行微分計算，確定所述熔化深度至所述自然結深區間內各微分層的微分電阻；

基于各所述微分電阻確定所述晶圓樣品在所述熔化深度與所述自然結深之間的第二電阻率。

7.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一電阻率和所述第二電阻率，確定所述晶圓樣品在不同熔化深度下的方塊電阻的步驟，包括：

基于所述第一電阻率和所述第二電阻率計算所述晶圓樣品的總電阻，得到所述晶圓樣品的方塊電阻與所述熔化深度的關系算式；

基于所述關系算式確定所述晶圓樣品取不同熔化深度值時對應的方塊電阻。

8.一種激光退火熔化深度確定裝置，其特征在于，包括：

表格獲取模塊，用于獲取晶圓樣品的雜質注入參數及預先建立的參數關系表；其中，所述參數關系表是基于自然結深確定所述晶圓樣品在多個熔化深度下的方塊電阻建立的，所述自然結深是基于所述雜質注入參數確定的；

電阻檢測模塊，用于檢測所述晶圓樣品退火后的方塊電阻，得到所述晶圓樣品的實測電阻；

深度確定模塊，用于從所述參數關系表中獲取所述雜質注入參數及與所述實測電阻相等的方塊電阻對應的熔化深度，得到所述晶圓樣品的熔化深度。