[發明專利]發光顯示裝置在審
| 申請號: | 202011504128.3 | 申請日: | 2020-12-18 |
| 公開(公告)號: | CN113130561A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發明(設計)人: | 金然;金高恩;徐弦兌;金恩珍;金貞娟;金鎮鎬;金銳熏;金景塤;李光善;申洪大 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 杜誠;馬驍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 顯示裝置 | ||
一種發光顯示裝置,包括:下基板;在下基板上的薄膜晶體管;鈍化層,其設置在薄膜晶體管上;外涂層,其設置在鈍化層上;發光元件,其設置在外涂層上并且包括陽極、在陽極上的發光層以及在發光層上的陰極;堤部,其設置在外涂層上并限定發光區域;在發光元件和堤部上的粘合劑層;以及氫吸收層,其設置在粘合劑層上并且包括氫吸收填料,其中,堤部的側端設置成比粘合劑層和氫吸收層的側端更向內,其中,粘合劑層和氫吸收層的側端設置成比外涂層的側端更向內。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2019年12月31日提交的韓國專利申請第10-2019-0179939號和于2020年6月23日提交的韓國專利申請第10-2020-0076718號的優先權權益,在此通過引用將其整體并入本文。
技術領域
本公開內容涉及一種發光顯示裝置,更特別地,涉及一種能夠減少發光顯示裝置中的由于氫和氧中的至少一種引起的缺陷的發光顯示裝置。
背景技術
發光顯示裝置是自發光顯示裝置,并且與具有單獨光源的液晶顯示裝置不同,由于其不需要單獨的光源,因此可以制造為輕薄。另外,發光顯示裝置由于低電壓驅動而在功耗方面具有優勢,并且在顏色實現、響應速度、視角和對比度(CR)方面是優異的。因此,正在研究發光顯示裝置作為下一代顯示裝置。
這樣的發光顯示裝置通過驅動設置在每個子像素中的發光元件來發光。此時,電連接至發光元件的一個或更多個薄膜晶體管(TFT)設置在每個子像素中,以獨立地驅動每個子像素的發光元件。
發明內容
薄膜晶體管包括柵電極、源電極、漏電極和半導體層。源電極和漏電極接觸半導體層,并且柵電極被設置成與半導體層交疊。當將大于預定電壓的柵極電壓被施加至薄膜晶體管的柵電極時,在半導體層中形成溝道,使得電流在源電極與漏電極之間流動。這樣,薄膜晶體管具有開關特性,并且這種開關特性可以由各種因素來確定。例如,當半導體層的材料變形時,可以改變薄膜晶體管的遷移率,并且可以改變薄膜晶體管的開關特性。
發光顯示裝置包括鈍化層,該鈍化層用于保護發光元件免受滲透到發光元件中的水分或氧氣的影響。鈍化層形成在光學元件上以保護發光元件。
這樣的鈍化層例如使用硅烷(SiH4)和氨氣(NH3)通過化學氣相沉積(CVD)形成。在鈍化層的膜形成過程中,通過化學氣相沉積可以從硅烷和氨中產生少量氫。因此,在鈍化層的膜形成過程中產生的氫可以擴散到鈍化層中并且包括在鈍化層中。包括在鈍化層中的殘留氫可以在發光元件內部移動。當殘留氫擴散到薄膜晶體管的半導體層中并與之反應時,薄膜晶體管的特性可能會改變。因此,在鈍化層的膜形成過程中產生的氫會降低發光顯示裝置的性能以及薄膜晶體管的性能。
為了解決如下問題:其中在形成發光顯示裝置的鈍化層時產生的氫保留在發光顯示裝置中并且由于保留的氫擴散到薄膜晶體管中,薄膜晶體管的特性改變從而使發光顯示裝置的性能劣化,如上所述,本公開內容的發明人已經發明了能夠吸收包括在鈍化層中的氫的發光顯示裝置的新型結構及其制造方法。
因此,本公開內容提供了一種發光顯示裝置,該發光顯示裝置能夠吸收保留在鈍化層中的氫并且防止薄膜晶體管的性能劣化。
另外,本公開內容提供了一種發光顯示裝置,其具有能夠去除鈍化層中的氫而無需用于去除在鈍化層的膜形成過程中產生的氫的附加設備的結構。
另外,本公開內容可以在不降低發光顯示裝置的耐用性或發光特性的情況下顯著提高去除發光顯示裝置內部的氫的性能。
此外,本公開內容提供一種發光顯示裝置,其具有能夠阻擋氧從其外部被注入到內部的結構。
此外,本公開內容可以解決由氫或氧產生的像素的白色或暗點的缺陷。
本公開內容不限于上述目的,并且本領域技術人員根據以下描述可以清楚地理解上述未提及的其他目的。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





