[發(fā)明專利]YAG晶片的研磨加工方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011498176.6
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN112658974A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 董志剛
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇集萃精凱高端裝備技術(shù)有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;B24B37/10;C09K3/14;C30B33/02
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

本發(fā)明提供了一種YAG晶片的研磨加工方法，包括S1：提供平面研磨機，提供YAG晶片，設(shè)定所述YAG晶片具有A面和B面，對A面進行研磨，研磨過程中滴加一號研磨液；S2：對B面進行研磨，研磨過程中滴加一號研磨液；S3：繼續(xù)對B面進行研磨，研磨過程中低價二號研磨液；S4：對A面進行研磨，研磨過程中滴加二號研磨液；S5：將金剛石固結(jié)磨粒盤固定在研磨盤上，對A面進行研磨，在研磨過程中不間斷注入去離子水；S6：對B面進行研磨，在研磨過程中不間斷注入去離子水；S7：超聲清洗晶片；S8：將晶片放入退火爐中。本發(fā)明的YAG晶片的研磨加工方法，采用游離磨料和固結(jié)磨料依次對YAG晶片進行研磨，材料去除率高、晶片面型精度高、表面損傷小。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種YAG晶片的研磨加工方法。

背景技術(shù)

YAG材料具有優(yōu)異的光學(xué)性能，被廣泛運用于激光武器、激光工業(yè)、激光醫(yī)療中，現(xiàn)代激光技術(shù)發(fā)展對于YAG材料的加工質(zhì)量也提出了更高的要求。

YAG晶片研磨加工屬于硬脆材料超精密加工技術(shù)，目前對YAG的研磨加工技術(shù)包括雙面行星研磨技術(shù)、單面游離磨料研磨技術(shù)，其中雙面行星研磨技術(shù)，加工效率高，當(dāng)晶片厚度更薄時，行星架制造有難度，強度不夠，不適合超薄晶片的加工；單面游離磨料技術(shù)，加工效率較高，但是磨料利用率低下，加工后晶體表面易產(chǎn)生較深磨痕和亞表面損傷，晶片面形精度也較差。

有鑒于此，有必要對現(xiàn)有的YAG晶片的研磨加工方法予以改進，以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種YAG晶片的研磨加工方法，以解決現(xiàn)有。

為實現(xiàn)上述目的，一種YAG晶片的研磨加工方法，其特征在于：所述YAG晶片的研磨加工方法包括如下步驟：

S1：提供平面研磨機，提供YAG晶片，設(shè)定所述YAG晶片具有A面和B面，用石蠟將B面粘貼在載物盤上，對A面進行研磨，研磨過程中滴加一號研磨液；

S2：將YAG晶片取下，用石蠟將A面粘貼在載物盤上，對B面進行研磨，研磨過程中滴加一號研磨液；

S3：繼續(xù)對B面進行研磨，研磨過程中低價二號研磨液；

S4：將YAG晶片取下，用石蠟將B面粘貼在載物盤上，對A面進行研磨，研磨過程中滴加二號研磨液；

S5：將金剛石固結(jié)磨粒盤固定在研磨盤上，對A面進行研磨，在研磨過程中不間斷注入去離子水；

S6：將YAG晶片取下，用石蠟將A面粘貼在載物盤上，對B面進行研磨，在研磨過程中不間斷注入去離子水；

S7：超聲清洗晶片，清洗液為去離子水，清洗時間為30min；

S8：將晶片放入退火爐中，然后以70℃/h的升溫速度將退火爐升溫至1100℃，保溫36h,然后以50℃/h的降溫速度將退火爐降至室溫。

作為本發(fā)明的進一步改進，步驟S1和步驟S2中一號研磨液包括：磨粒、去離子水、添加劑，其中磨粒為碳化硼、碳化硅中的任意一種，粒度為10～14μm，含量為6wt％；添加劑為分散劑SDS、SDBS中的一種，含量為0.4wt％，保濕劑為丙三醇，三乙醇胺中的一種，含量為0.4wt％。

作為本發(fā)明的進一步改進，步驟S1和步驟S2中研磨壓力為0.4MPa，旋轉(zhuǎn)速度為60～80r/min。

作為本發(fā)明的進一步改進，步驟S1和步驟S2中研磨液流量為6～9ml/min，研磨時間為15min。

作為本發(fā)明的進一步改進，步驟S3和步驟S4中二號研磨液包括：磨粒、去離子水、添加劑，其中磨粒為氧化鋁，粒度為1～3μm，含量為6wt％；添加劑為絡(luò)合物甘氨酸、殼寡糖中的一種，含量為0.3wt％。