[發明專利]薄膜金屬層的刻蝕方法及薄膜金屬層的刻蝕結構

在審

• 申請號: 202011496720.3
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN112614808A
• 公開（公告）日: 2021-04-06
• 發明（設計）人: 唐曉赫;李仕俊;常青松;姜永娜;袁彪;劉曉紅;楊陽陽;屈建洋;韓宏遠;劉文濤;董占紅;席紅英;侯小鵬;梁楚楚;安麗麗
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/498
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 付曉娣

1.一種薄膜金屬層的刻蝕方法，其特征在于，包括：

在陶瓷基板的上下表面沉積金屬種子層；

在所述金屬種子層上表面的預留線路圖形的位置制備金屬圖形，且任意相鄰的第一金屬圖形與第二金屬圖形之間的間隔的深度與寬度比大于預設閾值；

采用激光束刻蝕所述間隔中的底面的金屬種子層。

2.如權利要求1所述的薄膜金屬層的刻蝕方法，其特征在于，所述金屬種子層的材料包括鈦、銅和鎳。

3.如權利要求1所述的薄膜金屬層的刻蝕方法，其特征在于，所述金屬種子層的厚度為0.5微米至1微米。

4.如權利要求1所述的薄膜金屬層的刻蝕方法，其特征在于，所述預設閾值為10:1。

5.如權利要求1-4中任一項所述的薄膜金屬層的刻蝕方法，其特征在于，所述在所述金屬種子層上表面的預留線路圖形的位置制備金屬圖形，包括：

在所述金屬種子層上粘附一層光敏材料，對所述光敏材料進行曝光顯影，顯露的區域形成預留線路圖形；

在所述預留線路圖形上沉積金屬，得到金屬圖形；

去除剩余的光敏材料。

6.如權利要求5所述的薄膜金屬層的刻蝕方法，其特征在于，所述金屬圖形對應的金屬的材料為銅。

7.如權利要求5所述的薄膜金屬層的刻蝕方法，其特征在于，沉積的金屬的厚度為100微米至1厘米。

8.如權利要求5所述的薄膜金屬層的刻蝕方法，其特征在于，所述去除剩余的光敏材料，包括：

采用浸泡化學溶劑法，將曝光后的剩余的光敏材料脫離所述金屬種子層。

9.如權利要求1-4中任一項所述的薄膜金屬層的刻蝕方法，其特征在于，所述采用激光束刻蝕所述間隔中的底面的金屬種子層，包括：

采用四光楔激光掃描裝置射出的激光刻蝕所述間隔中金屬圖形側壁與水平的金屬種子層的交界處，使所述第一金屬圖形與所述第二金屬圖形之間的金屬種子層汽化蒸發。

10.一種薄膜金屬層的刻蝕結構，其特征在于，包括：采用上述權利要求1-9中任一項所述的薄膜金屬層的刻蝕方法制備得到的結構。