[發明專利]一種Au/PbS/CsPbCl3

在審

• 申請號: 202011494864.5
• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN112635618A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 趙新宏;張新福;李凱;方永初;陶宇
• 申請（專利權）人: 江蘇大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/113
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種Au/PbS/CsPbCl₃垂直堆垛結構光晶體管的制備方法，采用n型重摻雜的硅片作為柵電極，并在其上方覆蓋一層二氧化硅作為柵極絕緣層，然后通過熱蒸鍍法在絕緣層上蒸鍍兩個金電極作為器件的源電極和漏電極，其特征在于，在柵極絕緣層上，兩個金電極之間依次旋涂Au NPs溶液、PbS QDs溶液和CsPbCl₃ NPLs溶液，具體包括以下步驟：

(1)將一定量的Au NPs溶液旋涂在光晶體管的基底上，得Au NPs涂層；將旋涂有Au NPs的光晶體管置于氬氣環境中200～220℃退火10～15min；

(2)將一定量的PbS QDs溶液旋涂到步驟(1)的Au NPs涂層上，得PbS QDs涂層；隨后馬上用CTAB甲醇溶液對PbS QDs涂層進行表面配體交換，在PbS QDs涂層上旋涂CTAB甲醇溶液，靜置，再旋涂甲醇溶液在基底上以清除雜質和多余的CTAB，待甲醇在空氣中自然揮發后，甲醇溶液重復旋涂數次；把旋涂好的光晶體管再次置于充滿氬氣的管式爐中，80～100℃退火10～15min；

(3)將一定量的CsPbCl₃ NPLs溶液旋涂到步驟(2)的PbS QDs涂層上，將旋涂好的光晶體管置于氬氣環境靜置2～4小時。

2.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，在Au NPs溶液旋涂前，用丙酮和乙醇的混合液將基底充分清洗3次以上，以清洗掉表面殘余的污染物；其中，丙酮：乙醇的體積比為1：3。

3.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)中，Au NP溶液的濃度為20mg/mL，用量為50～80μL；旋涂速度為1800～2500轉/分鐘，旋涂時間為10～20秒。

4.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，PbS QDs溶液的濃度為50mg/mL，用量為50～80μL；旋涂速度為1800～2500轉/分鐘，旋涂時間為10～20秒。

5.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)中，CTAB甲醇溶液的濃度為10mg/mL；PbS QDs溶液和CTAB甲醇溶液的體積比為1：2～3；甲醇溶液旋涂的次數為3次或3次以上。

6.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)中，CsPbCl₃ NPLs溶液的濃度為100mg/mL，用量為50～80μL；旋涂速度為2000～2500轉/分鐘，旋涂時間為10～20秒。

7.如權利要求1所述的制備方法，其特征在于，n型重摻雜的硅片的厚度為300微米，二氧化硅的厚度為300納米。