[發(fā)明專利]增加光器件的金絲鍵合阻抗連續(xù)性的方法及應(yīng)用裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011494842.9 | 申請日: | 2020-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN112509927A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 范巍;羅小東;丁征 | 申請(專利權(quán))人: | 四川華拓光通信股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 北京遠大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11369 | 代理人: | 賈曉燕 |
| 地址: | 621000 四川省*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 增加 器件 金絲 阻抗 連續(xù)性 方法 應(yīng)用 裝置 | ||
1.一種增加光器件的金絲鍵合阻抗連續(xù)性的方法,其特征在于,在采用金絲線鍵合連接的器件或者組件之間,通過填充相應(yīng)非導(dǎo)電材料的介質(zhì),將金線線進行包裹,以通過降低阻抗,保證阻抗的連續(xù)性。
2.一種應(yīng)用如權(quán)利要求1所述增加光器件的金絲鍵合阻抗連續(xù)性方法得到的裝置,其特征在于,包括:
通過金絲線鍵合連接的器件或者組件;
設(shè)置在器件或組件之間,對金絲線進行全方位包裹的介質(zhì)層。
3.如權(quán)利要求2所述增加光器件金絲鍵合阻抗連續(xù)性的裝置,其特征在于,所述介質(zhì)層被配置為采用高分子膠層、丙烯酸酯膠層中的任意一種。
4.如權(quán)利要求2所述增加光器件金絲鍵合阻抗連續(xù)性的裝置,其特征在于,所述介質(zhì)層上端具有與金線線分布弧度相配合的弧形部。
5.如權(quán)利要求2所述增加光器件金絲鍵合阻抗連續(xù)性的裝置,其特征在于,所述介質(zhì)層被配置為延伸至器件與器件之間的間隙處。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





