[發(fā)明專利]具有用于I/O間隔和散熱的導電框架的半導體組件

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• 申請日: 2020-12-17
• 公開（公告）號: CN113013121A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發(fā)明（設計）人: S·卡德韋爾;黃志洋;J·梅爾茨;C·奧德爾;M·帕維爾
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/498
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 鄔少俊

1.一種半導體器件，包括：

導電框架，其包括基本平面的管芯附接表面；

半導體管芯，其包括設置在所述半導體管芯的后表面上的第一端子和設置在所述半導體管芯的與所述后表面相對的主表面上的第二端子；

第一導電接觸結構，其設置在所述管芯附接表面上，并且在所述第一導電接觸結構與所述半導體管芯之間具有橫向分隔；以及

第二導電接觸結構，其在所述半導體管芯的所述主表面上；

其中，所述半導體管芯安裝到所述管芯附接表面，使得所述第一端子面對并電連接到所述導電框架，

其中，所述第一導電接觸結構被配置為經(jīng)由所述框架至所述第一端子的電接觸點，

其中，所述第二導電接觸結構被配置為至所述第二端子的電接觸點，

其中，所述第一導電接觸結構垂直延伸超過所述半導體管芯的所述主表面的平面，

其中，所述第一導電接觸結構通過形成在所述管芯附接表面上的電隔離結構與所述半導體管芯的所述主表面電隔離，并且

其中，所述電隔離結構的上表面在所述半導體管芯的所述主表面下方。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述管芯附接表面具有比所述半導體管芯的區(qū)域性覆蓋面積更大的面積，并且其中，所述半導體管芯被固定到所述管芯附接表面，使得所述管芯附接表面在每個方向上橫向延伸超過所述半導體管芯。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，還包括多個所述第一導電接觸結構，每個所述第一導電接觸結構形成在所述管芯附接表面上，并且每個所述第一導電接觸結構被配置為至所述第一端子的電接觸點。

4.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，所述框架在所述框架的整個區(qū)域上具有基本均勻的厚度。

5.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，所述框架具有中央管芯附接部分和端部連接器部分，其中，所述中央管芯附接部分包括所述管芯附接表面，并且其中，所述端部連接器部分彎折遠離所述中央管芯附接部分。

6.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，所述電隔離結構的厚度小于所述半導體管芯的厚度。

7.根據(jù)權利要求2所述的半導體器件，其中，所述電隔離結構包括阻焊劑層，所述阻焊劑層直接形成在所述第一接觸結構與所述半導體管芯之間的橫向區(qū)域中的所述管芯附接表面上。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件，其中，所述阻焊劑層共形地包封所述半導體管芯。

9.根據(jù)權利要求7所述的半導體器件，其中，所述阻焊劑層僅形成在所述框架的包括所述管芯附接表面的一側上。

10.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電接觸結構包括直接形成在所述管芯附接表面上的含金屬的凸塊、螺柱或球結構，以及在所述含金屬的凸塊、螺柱或球結構周圍形成的可熔導電粘合劑材料。

11.根據(jù)權利要求1所述的半導體器件，還包括電絕緣材料的轉塔，所述轉塔設置在所述第一導電接觸結構與所述半導體管芯之間的所述管芯附接表面上，并且其中，所述轉塔垂直延伸超過所述半導體管芯的所述主表面的平面。

12.根據(jù)權利要求11所述的半導體器件，其中，所述第一接觸結構和所述第二接觸結構到達從所述半導體管芯的所述主表面的平面偏移的第二平面，并且其中，所述轉塔的上端與所述第二平面至少基本共面。