[發(fā)明專利]一種基于金屬-半導體復合結構的光催化材料及其制備方法與磁場輔助應用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011485680.2 | 申請日： | 2020-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN113145133B | 公開（公告）日： | 2022-11-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 桑元華;高文強;王曉寧;崔超;趙曉蕾;張珊;王書華;王建軍;劉宏 | 申請（專利權）人： | 山東大學 |
| 主分類號： | B01J27/04 | 分類號： | B01J27/04;B01J27/051;B01J35/00;C01B3/04 |
| 代理公司： | 濟南金迪知識產(chǎn)權代理有限公司 37219 | 代理人： | 張宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 金屬 半導體 復合 結構 光催化 材料 及其 制備 方法 磁場 輔助 應用 | ||
1.一種基于金屬-半導體復合結構的光催化材料的應用，所述的光催化材料為不同形貌的金屬與半導體光催化劑構建的復合結構材料，復合結構材料為半導體光催化劑均勻包覆在金屬表面的核殼結構，半導體光催化劑均勻原位生長在金屬上，所述的金屬為金（Au）、銀(Ag)或鉬(Mo)，金（Au）的形貌為納米棒或納米顆粒，納米棒的長度為40-50nm，納米顆粒的大小為40-50nm；銀(Ag)的形貌為納米線，納米線長度為200-300nm；鉬(Mo) 的形貌為納米片，半導體光催化劑為硫化鎘納米顆粒，金屬表面硫化鎘的厚度為30-40nm；
用于光催化分解水反應，應用方法如下：
將基于金屬-半導體復合結構的光催化材料分散在水中，加入硫酸鈉和亞硫酸鈉，在磁場強度0.005-0.2T，轉速100-350rpm,光強60-180mW/cm2下進行磁場輔助的光催化分解水反應。
2.根據(jù)權利要求1所述的應用，其特征在于，基于金屬-半導體復合結構的光催化材料是按如下方法制得：
過量的硫化鎘源與金屬的懸濁液進行水熱反應1-26h，使半導體光催化劑均勻包覆在金屬表面，得到基于金屬-半導體復合結構的光催化材料。
3.根據(jù)權利要求2所述的應用，其特征在于，金屬的懸濁液為金屬的CTAB溶液，CTAB溶液的濃度為0.1-0.3mol/L，硫化鎘源與金屬的質量比為：8-12：1。
4.根據(jù)權利要求2所述的應用，其特征在于，當金屬為金（Au）或銀(Ag)時，水熱反應溫度為120-160℃，反應時間為1-4h；當金屬為鉬(Mo)時，水熱反應溫度為180-220℃，反應時間為22-26h。
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