[發(fā)明專利]一種高絕緣電壓單芯片電流傳感器封裝結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011483964.8 | 申請日： | 2020-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN112595874A | 公開（公告）日： | 2021-04-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳忠志;趙翔;彭卓;劉學 | 申請（專利權）人： | 成都芯進電子有限公司 |
| 主分類號： | G01R15/20 | 分類號： | G01R15/20;G01R19/00 |
| 代理公司： | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 李朝虎 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 絕緣 電壓 芯片 電流傳感器 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種高絕緣電壓單芯片電流傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括U型框架、隔離芯片和用于探測磁信號的傳感器芯片；所述隔離芯片的頂面通過導電體粘接連接用于探測磁信號的傳感器芯片；所述隔離芯片的底面通過導電體粘接連接U型框架的最大橫截面；
其中，所述隔離芯片的結(jié)構(gòu)沿垂直軸線依次向下分為氮化硅層、SiO2薄膜層和硅襯底層，所述隔離芯片承受擊穿電壓1000V/um，所述硅襯底層包括硅襯底和晶圓，所述晶圓位于硅襯底的上面，所述硅襯底作為晶圓的載體；所述SiO2薄膜層承受高壓電場。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種高絕緣電壓單芯片電流傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述用于探測磁信號的傳感器芯片優(yōu)選基于磁場檢測原理的霍爾或者磁阻效應電流傳感器。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種高絕緣電壓單芯片電流傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離芯片的SiO2薄膜層的厚度大于或等于4um。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種高絕緣電壓單芯片電流傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導電體采用DAF薄膜或固晶膠。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種高絕緣電壓單芯片電流傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述晶圓尺寸優(yōu)選于8寸。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種高絕緣電壓單芯片電流傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅襯底層的厚度小于或等于200um。
7.根據(jù)權利要求1所述的一種高絕緣電壓單芯片電流傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述隔離芯片的各邊尺寸比用于探測磁信號的傳感器芯片的各邊尺寸至少大500um。
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