[發明專利]一種半導體缺陷表征的方法、裝置、系統、設備及介質

在審

• 申請號: 202011476570.X
• 申請日: 2020-12-15
• 公開（公告）號: CN114636677A
• 公開（公告）日: 2022-06-17
• 發明（設計）人: 趙泓達;李博;王磊;王然;張紫辰;張昆鵬;羅家俊;滕瑞
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G01N21/39
• 分類號: G01N21/39
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

1.一種半導體缺陷表征的方法，其特征在于，包括：

獲取待測樣品材料類型，其中，所述待測樣品為半導體材料；

基于所述待測樣品材料類型，調整所述待測樣品的溫度；

基于二次諧波表征方法，對調整溫度后的所述待測樣品進行表征。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述待測樣品材料類型，調整所述待測樣品的溫度，包括：

基于所述待測樣品在不同溫度條件下對應的二次諧波信號的飽和時間，確定所述待測樣品需要調整到的溫度。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述調整所述待測樣品的溫度，包括：

基于如下公式確定調整所述待測樣品的溫度的調整時間：

T＝T₁+T₂

其中，T為調整時間；T₁為加熱時間，所述加熱時間為所述待測樣品調整到所述需要調整到的溫度的時間；T₂為維持時間，所述維持時間為使所述待測樣品維持在所述需要調整到的溫度的時間。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，T₂是T₁的兩倍。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述調整所述待測樣品的溫度，包括：

使用溫度控制器調整所述待測樣品的溫度，所述溫度控制器在25℃-500℃范圍連續可調。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述待測樣品材料類型，調整所述待測樣品的溫度包括：

基于所述待測樣品襯底的材料類型，調整所述待測樣品的溫度。

7.一種半導體缺陷表征的裝置，其特征在于，包括：

獲取單元，用于獲取待測樣品材料類型，其中，所述待測樣品為半導體材料；

溫控單元，用于基于所述待測樣品材料類型，調整所述待測樣品的溫度；

表征單元，用于基于二次諧波表征方法，對調整溫度后的所述待測樣品進行表征。

8.一種半導體缺陷表征的系統，其特征在于，包括：

表征設備和溫控設備，所述溫控設備用于調整所述待測樣品的溫度，所述表征設備用于對調整溫度后的所述待測樣品進行表征；

其中，所述溫控設備包括：樣品臺和溫度控制器；所述表征設備包括：激光器、起偏器、第一物鏡、第二物鏡、檢偏器、濾光片及探測器；所述激光發射器發射的激光依次經過所述起偏器和所述第一物鏡射入調整溫度后的所述待測樣品，所述待測樣品反射出的二次諧波依次經過所述第二物鏡、所述檢偏器及所述濾光片射入所述探測器，以使所述探測器分析所述二次諧波，獲得所述待測樣品的表征數據。

9.一種電子設備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序時實現權利要求1-5任一所述的步驟。

10.一種計算機可讀存儲介質，其上存儲有計算機程序，其特征在于，所述計算機程序被處理器執行時實現權利要求1-5任一所述的方法步驟。