[發明專利]一種TC11鈦合金復合材料及其制備方法有效
| 申請號: | 202011472701.7 | 申請日: | 2020-12-15 |
| 公開(公告)號: | CN112663012B | 公開(公告)日: | 2022-11-04 |
| 發明(設計)人: | 李逢昆;張平則;魏東博;田恬;楊凱;黨博 | 申請(專利權)人: | 南京航空航天大學 |
| 主分類號: | C23C14/48 | 分類號: | C23C14/48;C23C14/16;C23C14/58 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 210016 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 tc11 鈦合金 復合材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種TC11鈦合金復合材料,其特征在于,包含TC11鈦合金以及在TC11鈦合金表面制備的Mo-Si-Ti合金層,所述Mo-Si-Ti合金層包括Ti-Al-Si-Mo擴散層和Mo-Si-Ti沉積層;
所述TC11鈦合金復合材料通過以下方法制備:
(1)利用離子注入方法在TC11鈦合金表面注入Si離子;
(2)利用電子束處理方法對注入Si離子后的TC11鈦合金表面進行重熔處理;
(3)對電子束重熔處理后的TC11鈦合金表面進行第二次Si離子注入;
(4)通過雙層輝光等離子合金化方法在經過處理后的TC11鈦合金表面制備Mo-Si-Ti合金層。
2.根據權利要求1所述的TC11鈦合金復合材料,其特征在于,步驟(1)中,所述Si離子的注入劑量為5.5~7×1016 ions/cm2,注入電壓為65~70 kV。
3.根據權利要求1所述的TC11鈦合金復合材料,其特征在于,步驟(2)中,所述TC11鈦合金表面電子束重熔的區域深度為0.4-0.5mm。
4.根據權利要求1所述的TC11鈦合金復合材料,其特征在于,步驟(3)中,所述Si離子注入劑量為4.5~6×1017 ions/cm2,注入電壓65~70 kV。
5.根據權利要求1所述的TC11鈦合金復合材料,其特征在于,步驟(4)中,所述雙層輝光等離子合金化方法所用的靶材為Mo-Si-Ti靶材,Mo-Si-Ti靶材中各成分原子百分比為30-35%Si,43-45%Ti,余量為Mo。
6.根據權利要求1所述的TC11鈦合金復合材料,其特征在于,步驟(2)中,所述電子束處理方法的工藝參數為,加速電壓45~65kV,電子束電流6~9mA,聚焦電流450~550mA,下束時間2~3s,電子束掃描方式為線掃描方式,掃描頻率為150-180Hz,功率密度1200~1400W/mm2。
7.根據權利要求1所述的TC11鈦合金復合材料,其特征在于,所述Mo-Si-Ti合金層的厚度為18-25 μm,所述Mo-Si-Ti合金層包括2-4 μm厚度的Ti-Al-Si-Mo擴散層以及16-21 μm厚度的沉積層。
8.根據權利要求1所述的TC11鈦合金復合材料,其特征在于,步驟(4)中,雙層輝光等離子合金化方法的工藝參數為,靶材電壓:940~960 V;工件電壓:350~380 V;氬氣氣壓:38~45 Pa;靶材與工件間距:20~25 mm;保溫時間:4~4.5 h。
9.一種TC11鈦合金復合材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
(S1)利用離子注入方法在TC11鈦合金表面注入Si離子;
(S2)利用電子束處理方法對注入Si離子后的TC11鈦合金表面進行重熔處理;
(S3)對電子束重熔處理后的TC11鈦合金表面進行第二次Si離子注入;
(S4)通過雙層輝光等離子合金化方法在經過處理后的TC11鈦合金表面制備Mo-Si-Ti合金層。
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