[發明專利]一種鰭式場效應晶體管中參數化單元及其實現方法

有效

• 申請號: 202011471523.6
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112507491B
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發明（設計）人: 江照燿;劉學剛
• 申請（專利權）人: 泉芯集成電路制造（濟南）有限公司
• 主分類號: G06F30/17
• 分類號: G06F30/17;G06Q10/04;G06T11/20;H01L27/02
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 劉猛

1.一種鰭式場效應晶體管中參數化單元的實現方法，其特征在于，包括：

提供參數化單元，所述參數化單元包括多個第一結構和多個第二結構，所述第一結構和所述第二結構為重復的結構，所述第一結構和所述第二結構的功能不同；

改變所述第一結構和/或所述第二結構的圖層設定，使所述第一結構的功能與所述第二結構的功能相同；

使所述第一結構和/或所述第二結構與其他結構形成所需的器件；

其中，所述參數化單元包括第一器件，所述第一器件包括多個第一結構和多個第二結構；則改變所述第一結構和/或所述第二結構的圖層設定包括：

改變相鄰兩個第一結構的圖層設定，使所述相鄰兩個第一結構的功能與所述第二結構的功能相同；

使所述第一結構和/或所述第二結構與其他結構形成所需的器件包括：

切斷所述相鄰兩個第一結構之間的連接結構，使所述相鄰兩個第一結構中一個第一結構與其他結構形成所需的第二器件，使所述相鄰兩個第一結構中另一個第一結構與其他結構形成所需的第三器件。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一結構包括鰭式場效應晶體管的柵極，所述第二結構包括鰭式場效應晶體管的虛擬柵極，所述連接結構包括鰭式結構。

3.一種鰭式場效應晶體管中參數化單元的實現方法，其特征在于，包括：

提供參數化單元，所述參數化單元包括多個第一結構和多個第二結構，所述第一結構和所述第二結構為重復的結構，所述第一結構和所述第二結構的功能不同；

改變所述第一結構和/或所述第二結構的圖層設定，使所述第一結構的功能與所述第二結構的功能相同；

使所述第一結構和/或所述第二結構與其他結構形成所需的器件；

其中，所述參數化單元包括第一器件和第二器件，所述第一器件和所述第二器件均包括多個第一結構和多個第二結構；

則改變所述第一結構和/或所述第二結構的圖層設定包括：

改變所述第一器件中部分第二結構的圖層設定，使所述第一器件中部分第二結構的功能與所述第二器件中第一結構的功能相同；

改變所述第二器件中的部分第二結構的圖層設定，使所述第二器件中部分第二結構的功能與所述第一器件中第一結構的功能相同；

使所述第一結構和/或所述第二結構與其他結構形成所需的器件包括：

將所述第一器件中部分第二結構與所述第二器件的第一結構合并，將所述第二器件中的部分第二結構與所述第一器件中的第一結構合并，使所述第一器件和所述第二器件形成所需的第三器件。

4.一種鰭式場效應晶體管中參數化單元的實現方法，其特征在于，包括：

提供參數化單元，所述參數化單元包括多個第一結構和多個第二結構，所述第一結構和所述第二結構為重復的結構，所述第一結構和所述第二結構的功能不同；

改變所述第一結構和/或所述第二結構的圖層設定，使所述第一結構的功能與所述第二結構的功能相同；

使所述第一結構和/或所述第二結構與其他結構形成所需的器件；

其中，所述參數化單元包括第一器件和第二器件，所述第一器件和所述第二器件均包括多個第一結構和多個第二結構；

則改變所述第一結構和/或所述第二結構的圖層設定包括：

改變所述第一器件中部分第二結構的圖層設定，使所述第一器件中部分第二結構的功能與所述第二器件中第一結構的功能相同；

改變所述第二器件中部分第二結構的圖層設定，使所述第二器件中部分第二結構的功能與所述第一器件中第一結構的功能相同；

使所述第一結構和/或所述第二結構與其他結構形成所需的器件包括：

在所述第一器件中部分第二結構之間形成連接結構，在所述第二器件中部分第二結構之間形成連接結構，在所述第一器件中部分第二結構與所述第二器件中部分第二結構之間形成連接結構，使所述第一器件和所述第二器件形成所需的第三器件。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，形成連接結構包括：

通過設計參數化單元形成連接結構；

或者，通過版圖工具形成連接結構。