[發明專利]砷化鎵基半導體器件的制造方法有效
| 申請號： | 202011468551.2 | 申請日： | 2020-12-15 |
| 公開（公告）號： | CN112233970B | 公開（公告）日： | 2021-03-23 |
| 發明（設計）人： | 于良成;白龍剛;楊國文;趙衛東 | 申請（專利權）人： | 度亙激光技術(蘇州)有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 李青 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業園區*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 砷化鎵基 半導體器件 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種砷化鎵基半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
S1：將砷化鎵基底（1）放入酸溶液中進行清洗；
S2：向經過清洗的砷化鎵基底（1）表面通入流動的包括氨氣和氮氣的混合氣，并使混合氣進行等離子反應，以去除砷化鎵基底（1）表面的氧化物；且氮氣與氨氣同時進行等離子反應，以快速在砷化鎵基底（1）表面形成氮氫化學鍵；
S3：在砷化鎵基底（1）上制備氮化硅保護膜。
2.根據權利要求1所述的砷化鎵基半導體器件的制造方法，其特征在于，所述混合氣中氨氣的流量為30-60SCCM，氮氣的流量為50-100SCCM。
3.根據權利要求2所述的砷化鎵基半導體器件的制造方法，其特征在于，所述混合氣進行等離子反應時的環境溫度為250-320℃，壓力為900-1500mTorr。
4.根據權利要求3所述的砷化鎵基半導體器件的制造方法，其特征在于，所述混合氣進行等離子反應的時間為2-5min。
5.根據權利要求1所述的砷化鎵基半導體器件的制造方法，其特征在于，步驟S2中的混合氣包括氨氣和惰性氣體。
6.根據權利要求5所述的砷化鎵基半導體器件的制造方法，其特征在于，所述惰性氣體為氦氣。
7.根據權利要求1-6任一項所述的砷化鎵基半導體器件的制造方法，其特征在于，步驟S2和步驟S3均在PECVD設備中進行。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
