[發明專利]基于色散共軛聚焦測量方法的半導體打標深度檢測儀

在審

• 申請號: 202011467310.6
• 申請日: 2020-12-14
• 公開（公告）號: CN112649571A
• 公開（公告）日: 2021-04-13
• 發明（設計）人: 張淳;譚永麟;陳健華;王彥君;孫晨光
• 申請（專利權）人: 中環領先半導體材料有限公司
• 主分類號: G01N33/00
• 分類號: G01N33/00
• 代理公司: 北京卓特專利代理事務所(普通合伙) 11572
• 代理人: 段宇

1.基于色散共軛聚焦測量方法的半導體打標深度檢測儀，包括色散共軛聚焦測量探頭(1)和高精度滑臺(4)，其特征在于：所述色散共軛聚焦測量探頭(1)在高精度滑臺(4)上方位置，所述高精度滑臺(4)上表面固定安裝被測硅片載臺(2)，所述被測硅片載臺(2)上表面固定安裝若干被測硅片定位銷(3)，所述被測硅片定位銷(3)內部放置有硅片(6)，所述硅片(6)上有硅片打標碼(5)。

2.根據權利要求1所述的基于色散共軛聚焦測量方法的半導體打標深度檢測儀，其特征在于：所述色散共軛聚焦測量探頭(1)、高精度滑臺(4)受控于人機界面(7)。

3.根據權利要求1所述的基于色散共軛聚焦測量方法的半導體打標深度檢測儀，其特征在于：所述色散共軛聚焦測量探頭(1)，可以實現對激光打標深度檢測精度1nm。

4.根據權利要求1所述的基于色散共軛聚焦測量方法的半導體打標深度檢測儀，其特征在于：所述色散共軛聚焦測量探頭(1)共有三臺，或者一臺色散共軛聚焦測量探頭(1)可拆卸式安裝三個位置。

5.根據權利要求1所述的基于色散共軛聚焦測量方法的半導體打標深度檢測儀，其特征在于：所述被測硅片定位銷(3)由潔凈四氟乙烯制成。

6.根據權利要求1所述的基于色散共軛聚焦測量方法的半導體打標深度檢測儀，其特征在于：所述高精度滑臺(4)能夠單一維度的直線運動。