[發明專利]一種具有溝槽發射極埋層的IGBT結構

在審

• 申請號: 202011461775.0
• 申請日: 2020-12-09
• 公開（公告）號: CN112510082A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 伍偉;李巖松;古湧乾
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/417;H01L29/739
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種具有溝槽發射極埋層的IGBT結構，其元胞結構包括P型集電區(1)，位于集電區(1)上方的N型緩沖層(2)和N型漂移區(3)，所述漂移區(3)中設有多晶硅柵極(6)及柵極氧化層(5)、金屬發射極(11)及發射極氧化層(12)以及P型基區(8)，所述P型基區(8)上設有N+型發射區(9)和P+型高摻雜區(13)，所述P型基區(8)下設有N型載流子存儲層(7)，其特征在于，所述發射極(11)做成淺溝槽結構，并在發射極溝槽(11)以及柵極溝槽(6)底部增加了兩個P型埋層(10)和(4)。

2.根據權利要求1所述的具有溝槽發射極埋層的IGBT結構，其特征在于，P型埋層(10)與P型埋層(4)不相連。

3.根據權利要求1所述的具有溝槽發射極埋層的IGBT結構，其特征在于，P型摻雜區(10)與N型漂移區(3)相連。

4.根據權利要求1和2所述的具有溝槽發射極埋層的IGBT結構，其特征在于，P型埋層(10)的典型摻雜濃度為6×10¹⁸cm^-3，P型埋層(4)的典型摻雜濃度為3×10¹⁷cm^-3。