[發明專利]一種IPD吸收式帶通濾波器

在審

• 申請號: 202011461727.1
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN112421195A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 代傳相;李小珍;邢孟江;張志剛;侯明;劉永紅
• 申請（專利權）人: 云南雷迅科技有限公司
• 主分類號: H01P1/212
• 分類號: H01P1/212;H01P1/203;H01P11/00
• 代理公司: 北京市盈科律師事務所 11344
• 代理人: 羅東

本發明涉及一種IPD吸收式帶通濾波器，屬于濾波器技術領域。包括基體層和基體層下表面的背金層，基體層上生長有第一氮化硅層，第一氮化硅層上濺射有薄膜電阻層，第一氮化硅層上形成有第一金屬層，第一金屬層上生長有第二氮化硅層，第二氯化硅層上生長有聚酰亞胺層，聚酰亞胺層上形成有第二金屬層，第二金屬層上生長有第三氮化硅層，第一金屬層和第二金屬層上形成濾波器電路結構，濾波器電路結構包括串聯在輸入端口和輸出端口之間的第一帶通信號處理單元、第二式帶通信號處理單元和LC并聯諧振電路，本發明采用IPD?GaAs工藝，通過光刻、濺射、電鍍、刻蝕等工序，在GaAs基體上制作吸收式濾波器電路結構，具有高阻帶抑制的效果。

技術領域

本發明涉及一種IPD吸收式帶通濾波器，屬于濾波器技術領域。

背景技術

隨著通信技術的高速發展，通信系統對高性能、小型化的無源部件要求越來越高，帶通濾波器作為通信裝置的重要電子部件之一，帶通濾波器的性能直接影響通信系統的性能。傳統的帶通濾波器中的阻帶“衰減”信號會被反射到信號源，然而這些反射信號可能會對整個RF系統產生不利的影響。例如，混頻器對其端口上的帶外終端都極為敏感，然而濾波器又是混頻器的前端和后端經常出現的器件。濾波器衰減的互調產物被反射回混頻器可能產生不需要的諧波，這些諧波會造成系統不穩定。

針對傳統的濾波器的缺陷，一些吸收式的濾波器應運而生。例如，在低通原型濾波器和與其互補的高通濾波器并聯構成互補雙工器來吸收阻帶信號，但這樣會使空間需求很大，而且造成阻抗的不匹配。在兩個微帶3dB定向耦合器之間添加兩個傳統的微帶梳狀線帶通濾波器雖然也可以吸收阻帶信號，但是電橋的寬度限制了濾波器的帶寬。在輸入輸出端接兩個等相功率分配器，然后在兩個功率分配器之間的上通路和下通路分別連接串聯形式的+45度高通移相器、傳統帶通濾波器、-45度低通移相器，這樣實現在輸入端輸入信號和反射信號相位抵消的功能，雖然達到吸收反射信號的效果，但是需要用大量的電路元件，這樣對于現在小型化的需求來說，集總電路的布局和元件相互影響上對其造成了阻礙。

發明內容

本發明的目的在于克服現有低通濾波器存在的上述缺陷，提供了一種IPD吸收式帶通濾波器，采用IPD-GaAs工藝，通過光刻、濺射、電鍍、刻蝕等工序，在GaAs基體上制作吸收式濾波器電路結構，具有高阻帶抑制的效果。

本發明是采用以下的技術方案實現的：

一種IPD吸收式帶通濾波器，包括基體層和基體層下表面的背金層，基體層上生長有第一氮化硅層，第一氮化硅層上濺射有薄膜電阻層，第一氮化硅層上形成有第一金屬層，第一金屬層上生長有第二氮化硅層，第二氯化硅層上生長有聚酰亞胺層，聚酰亞胺層上形成有第二金屬層，第二金屬層上生長有第三氮化硅層，第一金屬層和第二金屬層上形成濾波器電路結構。

進一步地，濾波器電路結構包括串聯在輸入端口和輸出端口之間的第一帶通信號處理單元和第二式帶通信號處理單元，第一帶通信號處理單元和第二式帶通信號處理單元之間設有與接地端口連接的LC并聯諧振電路。

進一步地，第一帶通信號處理單元和第二式帶通信號處理單元均包括相互并聯的帶通信號通路和通帶外吸收支路。

進一步地，帶通信號通路為LC串聯諧振電路，通帶外吸收支路為LC并聯諧振電路與吸收電阻的串聯電路。

進一步地，濾波器電路結構中的電感為平面螺旋電感，形狀為圓形電感、正方形電感、長方形電感或多邊形電感。

進一步地，濾波器電路結構中的電容為MIM電容。

進一步地，吸收電阻為氮化坦薄膜電阻。

進一步地，接地端口設有4個，兩個與輸入端口形成GSG共面端口，兩個與輸出端口形成GSG共面端口。

進一步地，接地端口通過晶背穿孔工藝形成連接通孔與背金層連接。

本發明的有益效果是：