[發明專利]一種憶阻器存內計算系統的誤操作檢測裝置及系統

有效

• 申請號: 202011461486.0
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN112599168B
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發明（設計）人: 王超;余國義;許家瑞;詹翊
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: G11C13/00
• 分類號: G11C13/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 李智

1.一種憶阻器存內計算系統的誤操作檢測裝置，其特征在于，包括選通模塊(1)、控制模塊(2)和檢測模塊(3)；

所述選通模塊(1)用于選通憶阻器單元，所述憶阻器單元用于執行蘊含邏輯和/或假邏輯；

當所述憶阻器單元執行蘊含邏輯時，所述控制模塊(2)用于控制所述檢測模塊(3)檢測所述憶阻器單元是否處于(低阻態，高阻態)輸入模式并生成相應的標記結果，以及用于控制所述檢測模塊(3)檢測所述憶阻器單元公共節點的電位，所述公共節點為憶阻器單元輸出節點SL，并根據所述標記結果、以及所述公共節點的電位與第一參考電壓之間的大小關系生成所述蘊含邏輯的操作結果；

當所述憶阻器單元執行假邏輯時，所述控制模塊(2)用于控制所述檢測模塊(3)檢測所述憶阻器單元輸出節點的電位，并根據所述輸出節點的電位與第二參考電壓之間的大小關系生成所述假邏輯的操作結果。

2.如權利要求1所述的憶阻器存內計算系統的誤操作檢測裝置，其特征在于，所述第一參考電壓介于所述(低阻態，高阻態)輸入模式對應公共節點的電位和(低阻態，低阻態)輸入模式對應公共節點的電位之間；

當所述公共節點的電位低于所述第一參考電壓，且所述憶阻器單元不處于所述(低阻態，高阻態)輸入模式時，所述蘊含邏輯為(高阻態，高阻態)輸入模式下的誤操作；當所述公共節點的電位高于所述第一參考電壓，且所述憶阻器單元處于所述(低阻態，高阻態)輸入模式時，所述蘊含邏輯為(低阻態，高阻態)輸入模式下的誤操作；否則，所述蘊含邏輯為正確操作。

3.如權利要求1所述的憶阻器存內計算系統的誤操作檢測裝置，其特征在于，當所述輸出節點的電位低于所述第二參考電壓時，所述假邏輯為誤操作，否則，所述假邏輯為正確操作。

4.如權利要求1-3任一項所述的憶阻器存內計算系統的誤操作檢測裝置，其特征在于，所述檢測模塊(3)包括電壓比較器(31)、第一觸發器(32)、多路選擇器(33)、異或門(34)和第二觸發器(35)；

所述電壓比較器(31)的正輸入端連接所述憶阻器單元的輸出節點，所述電壓比較器(31)的負輸入端為參考電壓輸入端子，所述電壓比較器(31)的輸出端連接所述第一觸發器(32)的輸入端和所述異或門(34)的一輸入端；所述第一觸發器(32)的輸出端連接所述多路選擇器(33)的一輸入端；所述多路選擇器(33)的輸出端連接所述異或門(34)的另一輸入端；所述異或門(34)的輸出端連接所述第二觸發器(35)的輸入端。

5.如權利要求4所述的憶阻器存內計算系統的誤操作檢測裝置，其特征在于，當所述憶阻器單元執行蘊含邏輯時，所述控制模塊(2)選通所述多路選擇器(33)與第一觸發器(32)連接的支路。

6.如權利要求4所述的憶阻器存內計算系統的誤操作檢測裝置，其特征在于，當所述憶阻器單元執行假邏輯時，所述控制模塊(2)選通所述多路選擇器(33)與電源電壓連接的支路。

7.一種憶阻器存內計算系統，其特征在于，包括自適應脈沖電壓調制模塊(4)、一個及以上的存內計算模塊(5)，每一所述存內計算模塊(5)中設置有如權利要求1-6任一項所述的憶阻器存內計算系統的誤操作檢測裝置，所述憶阻器存內計算系統的誤操作檢測裝置與所述自適應脈沖電壓調制模塊(4)相連接。

8.如權利要求7所述的憶阻器存內計算系統，其特征在于，當任一憶阻器單元的蘊含邏輯為(高阻態，高阻態)輸入模式下的誤操作時，所述自適應脈沖電壓調制模塊(4)用于增大輸入至所述任一憶阻器單元的脈沖電壓的脈寬和/或幅值；當任一憶阻器單元的蘊含邏輯為(低阻態，高阻態)輸入模式下的誤操作時，所述自適應脈沖電壓調制模塊(4)用于減小輸入至所述任一憶阻器單元的脈沖電壓的脈寬和/或幅值。

9.如權利要求7所述的憶阻器存內計算系統，其特征在于，當任一憶阻器單元的假邏輯為誤操作時，所述自適應脈沖電壓調制模塊(4)用于增大輸入至所述任一憶阻器單元的脈沖電壓的脈寬和/或幅值。

10.如權利要求7-9任一項所述的憶阻器存內計算系統，其特征在于，每一所述存內計算模塊(5)中還設置有數據交互模塊(6)，所述數據交互模塊(6)用于實現相連存內計算模塊(5)之間誤操作信息的交互。