[發明專利]用于蝕刻薄層的裝置

在審

• 申請號: 202011458413.6
• 申請日: 2020-12-11
• 公開（公告）號: CN113066737A
• 公開（公告）日: 2021-07-02
• 發明（設計）人: 金源根;金泰信
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海和躍知識產權代理事務所(普通合伙) 31239
• 代理人: 洪磊

1.一種用于蝕刻薄層的裝置，包括：

蝕刻劑供給單元，其構成為于基板上供給蝕刻劑以蝕刻形成在所述基板上的薄層；

溫度測量單元，其構成為在通過所述蝕刻劑執行蝕刻過程時測量所述基板的溫度；

激光照射單元，其構成為在包含所述基板的中央部分的第一部分上照射第一激光束，并且在圍繞所述第一部分的第二部分上以環形照射第二激光束，從而在蝕刻過程中將所述基板的溫度保持于預定溫度；以及

過程控制單元，其構成為基于由所述溫度測量單元所測量的所述基板的溫度來控制所述第一激光束和所述第二激光束的功率，以減小所述基板的所述第一部分和所述第二部分之間的溫度差。

2.根據權利要求1所述的用于蝕刻薄層的裝置，其中，所述蝕刻劑供給單元包括：蝕刻劑供給噴嘴，其構成為在所述基板的所述中央部分上供給所述蝕刻劑；噴嘴驅動部，其構成為在水平方向上移動所述蝕刻劑供給噴嘴；以及蝕刻劑加熱部，其構成為于預定溫度加熱所述蝕刻劑。

3.根據權利要求2所述的用于蝕刻薄層的裝置，其中，所述激光照射單元設置在所述基板的所述中央部分的上方，并且所述蝕刻劑供給噴嘴通過所述噴嘴驅動部在所述基板與所述激光照射單元之間沿水平方向移動。

4.根據權利要求3所述的用于蝕刻薄層的裝置，其中，在將所述蝕刻劑以預定量供給到所述基板的所述中央部分之后，所述蝕刻劑供給噴嘴沿水平方向移動以與所述基板分隔開。

5.根據權利要求1所述的用于蝕刻薄層的裝置，其中，所述薄層包含氮化硅，并且所述蝕刻劑包含磷酸和水。

6.根據權利要求1所述的用于蝕刻薄層的裝置，還包括：旋轉驅動單元，其構成為旋轉所述基板，

其中，所述蝕刻劑供給單元在所述基板的所述中央部分上以預定量供給所述蝕刻劑，并且所述旋轉驅動單元旋轉所述基板，從而所述蝕刻劑完全散布在所述基板的上表面上以形成具有預定厚度的液體層。

7.根據權利要求6所述的用于蝕刻薄層的裝置，其中，所述旋轉驅動單元停止所述基板的旋轉，從而通過表面張力來保持所述液體層。

8.根據權利要求6所述的用于蝕刻薄層的裝置，還包括：碗單元，其構成為圍繞所述基板以收集所述蝕刻劑。

9.根據權利要求6所述的用于蝕刻薄層的裝置，還包括：支承單元，其構成為支承所述基板，

其中，所述旋轉驅動單元旋轉所述支承單元。

10.根據權利要求1所述的用于蝕刻薄層的裝置，其中，所述溫度測量單元包括：熱成像相機，其設置在所述基板上方。

11.根據權利要求1所述的用于蝕刻薄層的裝置，其中，所述溫度測量單元包括：多個紅外線溫度傳感器，其設置在所述基板下方。

12.根據權利要求11所述的用于蝕刻薄層的裝置，還包括：支承單元，其構成為支承所述基板，

其中，所述支承單元包括：支承頭，其具有圓板形狀；以及支承銷，其設置在所述支承頭上以支承所述基板的邊緣部分，并且所述紅外線溫度傳感器設置在所述支承頭上。

13.根據權利要求1所述的用于蝕刻薄層的裝置，其中，所述激光照射單元包括：可調環形模式(ARM)光纖激光設備，其能夠控制所述第一激光束和所述第二激光束的功率。

14.根據權利要求1所述的用于蝕刻薄層的裝置，還包括：紅外線加熱器，其構成為加熱所述基板。

15.根據權利要求14所述的用于蝕刻薄層的裝置，其中，所述溫度測量單元包括：熱成像相機，其設置在所述基板上方，并且所述紅外線加熱器設置在所述基板下方。