[發明專利]靜電吸盤和基板固定裝置在審
| 申請號: | 202011456661.7 | 申請日: | 2020-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN112951754A | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發明(設計)人: | 草間泰彥 | 申請(專利權)人: | 新光電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 顧紅霞;龍濤峰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 吸盤 固定 裝置 | ||
1.一種靜電吸盤,其構造為吸附并保持吸附對象,所述靜電吸盤包括:
基體,所述吸附對象放置在所述基體上,所述基體具有用于向所述吸附對象供給氣體的氣孔;以及
多個靜電電極,其埋入在所述基體中,所述靜電電極包括正電極和負電極,
其中,當從上方觀察時,所述正電極和所述負電極在所述氣孔附近布置為隔著第一間隙彼此面對,所述正電極和所述負電極布置為隔著所述正電極側的第一路徑和所述負電極側的第二路徑彼此面對,所述第一路徑和所述第二路徑形成為所述氣孔介于所述第一路徑和所述第二路徑之間,并且所述正電極和所述負電極在所述氣孔附近布置為隔著第二間隙彼此面對,
所述第一路徑和所述第二路徑沿著所述氣孔的外周延伸,并且所述氣孔介于所述第一路徑和所述第二路徑之間,所述第一路徑和所述第二路徑在第一端處會聚成所述第一間隙,并且在第二端處會聚成所述第二間隙,
當從上方觀察時,在所述第一路徑和所述第二路徑會聚成所述第一間隙的位置處,由所述正電極形成的第一角部被倒圓并且由所述負電極形成的第二角部被倒圓,并且在所述第一路徑和所述第二路徑會聚成所述第二間隙的位置處,由所述正電極形成的第三角部被倒圓并且由所述負電極形成的第四角部被倒圓,并且
當從上方觀察時,在除了倒圓的第一角部和倒圓的第三角部之外的所述第一路徑中,所述氣孔和所述正電極之間的第一距離是恒定的,在除了倒圓的第二角部和倒圓的第四角部之外的所述第二路徑中,所述氣孔和所述負電極之間的第二距離是恒定的,并且所述第一距離和所述第二距離相同。
2.根據權利要求1所述的靜電吸盤,其中,當從上方觀察時,所述正電極和所述負電極之間的在所述第一間隙的寬度方向上的第三距離與所述正電極和所述負電極之間的在所述第二間隙的寬度方向上的第四距離相同。
3.根據權利要求2所述的靜電吸盤,其中,所述第一距離、所述第二距離、所述第三距離和所述第四距離都相同。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的靜電吸盤,還包括:
多孔體,其布置在所述氣孔中,所述多孔體具有彼此連通的多個孔。
5.根據權利要求4所述的靜電吸盤,其中,所述多孔體包括球形氧化物陶瓷顆粒,以及結合所述球形氧化物陶瓷顆粒的混合氧化物。
6.一種基板固定裝置,包括:
底板;以及
根據權利要求1至3中任一項所述的靜電吸盤,所述靜電吸盤安裝在所述底板的一個表面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





