[發明專利]一種封裝方法、裝置、設備及介質有效
| 申請號： | 202011452282.0 | 申請日： | 2020-12-10 |
| 公開（公告）號： | CN112582286B | 公開（公告）日： | 2022-10-11 |
| 發明（設計）人： | 岳光生;焦建輝;趙杰 | 申請（專利權）人： | 青島信芯微電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/58 | 分類號： | H01L21/58;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人： | 杜晶 |
| 地址： | 266100 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 封裝 方法 裝置 設備 介質 | ||
1.一種封裝方法，其特征在于，所述方法包括：
識別主芯片DIE中的雙倍速率同步動態隨機存儲器DDR的每個第一引腳對應的第一焊盤，以及已知合格芯片KGD中的動態隨機存儲器DRAM的每個第二引腳對應的第二焊盤；
根據每個所述第一焊盤、第二焊盤以及預先保存的第一引腳與第二引腳的對應關系，連接每個第一焊盤與對應的第二焊盤；
所述連接每個第一焊盤與對應的第二焊盤包括：
針對每個第一焊盤，將該第一焊盤與對應的第二焊盤進行引線鍵合。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述引線為鈀銅線。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述鈀銅線的直徑為18微米。
4.一種封裝裝置，其特征在于，所述裝置包括：
識別模塊，用于識別主芯片DIE中的雙倍速率同步動態隨機存儲器DDR的每個第一引腳對應的第一焊盤，以及已知合格芯片KGD中的動態隨機存儲器DRAM的每個第二引腳對應的第二焊盤；
封裝模塊，用于根據每個所述第一焊盤、第二焊盤以及預先保存的第一引腳與第二引腳的對應關系，連接每個第一焊盤與對應的第二焊盤；
所述封裝模塊，具體用于針對每個第一焊盤，將該第一焊盤與對應的第二焊盤進行引線鍵合。
5.根據權利要求4所述的裝置，其特征在于，所述引線為鈀銅線。
6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，所述鈀銅線的直徑為18微米。
7.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備至少包括處理器和存儲器，所述處理器用于執行存儲器中存儲的計算機程序時實現根據權利要求1-3中任一所述封裝方法的步驟。
8.一種計算機可讀存儲介質，其特征在于，其存儲有計算機程序，所述計算機程序被處理器執行時實現根據權利要求1-3中任一所述封裝方法的步驟。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
