[發明專利]根據芯片溫度調節其編程步長電壓的閃存存儲芯片在審
| 申請號: | 202011451466.5 | 申請日: | 2020-12-10 |
| 公開(公告)號: | CN113450859A | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發明(設計)人: | A·哈茲吉;P·卡拉瓦德;R·S·謝諾伊;H-Y·常 | 申請(專利權)人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | G11C16/10 | 分類號: | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 劉瑜 |
| 地址: | 美國加*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 根據 芯片 溫度 調節 編程 步長 電壓 閃存 存儲 | ||
1.一種裝置,包括:
閃存存儲芯片,所述閃存存儲芯片包括以下i)、ii)、iii)、和iv):
i)用于接收命令的芯片接口;
ii)堆疊的儲存單元的陣列;
iii)溫度感測器件;以及,
iv)控制器,所述控制器耦合到所述芯片接口、所述堆疊的儲存單元的陣列和所述溫度感測器件,其中,所述控制器用于基于由所述溫度感測器件測量的所述閃存存儲芯片的溫度來調節施加到所述堆疊的儲存單元的陣列的編程步長電壓。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述控制器用于在所述閃存存儲芯片的所述溫度接近所述閃存存儲芯片的所述額定溫度范圍的中點時,增大所述編程步長電壓。
3.根據權利要求2所述的裝置,其中,所述編程步長電壓的增大在所述閃存存儲芯片的加熱和冷卻方向上均發生。
4.根據權利要求2所述的裝置,其中,所述編程步長電壓的增大導致所述儲存單元中的更寬的電荷分布。
5.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述控制器用于在所述閃存存儲芯片的額定溫度范圍的最高溫度或所述閃存存儲芯片的所述額定溫度范圍的最低溫度下將所述編程步長電壓設置為最小值。
6.根據權利要求5所述的裝置,其中,所述最小編程步長電壓導致所述儲存單元內的最窄的電荷分布。
7.根據權利要求1所述的裝置,其中,當所述閃存存儲芯片的所述溫度遠離所述閃存存儲芯片的額定溫度范圍的中點移動時,所述控制器用于減小所述編程步長電壓。
8.一種計算系統,包括:
多個處理核心;
系統存儲器;
系統存儲器控制器,所述系統存儲器控制器耦合到任一所述系統存儲器;
外圍控制集線器;以及,
存儲器件,所述存儲器件耦合到所述系統存儲器控制器或所述外圍控制集線器,所述存儲器件包括閃存存儲芯片,所述閃存存儲芯片包括以下i)、ii)、iii)、和iv):
i)用于接收命令的芯片接口;
ii)堆疊的儲存單元的陣列;
iii)溫度感測器件;以及,
iv)控制器,所述控制器耦合到所述芯片接口、所述堆疊的儲存單元的陣列和所述溫度感測器件,其中,所述控制器用于基于由所述溫度感測器件測量的所述閃存存儲芯片的溫度,來調節施加到所述堆疊的儲存單元的陣列的編程步長電壓。
9.根據權利要求8所述的計算系統,其中,所述控制器用于在所述閃存存儲芯片的所述溫度接近所述閃存存儲芯片的額定溫度范圍的中點時,增大所述編程步長電壓。
10.根據權利要求9所述的計算系統,其中,所述編程步長電壓的增大在所述閃存存儲芯片的加熱和冷卻方向上均發生。
11.根據權利要求9所述的計算系統,其中,所述編程步長電壓的增大導致所述儲存單元中的更寬的電荷分布。
12.根據權利要求8所述的計算系統,其中,所述控制器用于在所述閃存存儲芯片的額定溫度范圍的最高溫度或所述閃存存儲芯片的所述額定溫度范圍的最低溫度下,將所述編程步長電壓設置為最小值。
13.根據權利要求12所述的計算系統,其中,所述最小編程步長電壓導致所述儲存單元內的最窄的電荷分布。
14.根據權利要求8所述的計算系統,其中,當所述閃存存儲芯片的所述溫度遠離所述閃存存儲芯片的額定溫度范圍的中點移動時,所述控制器用于減小所述編程步長電壓。
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