[發(fā)明專利]發(fā)光二極管襯底的剝離方法及發(fā)光二極管陣列有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011450285.0 | 申請日： | 2020-12-09 |
| 公開（公告）號： | CN112582506B | 公開（公告）日： | 2021-10-08 |
| 發(fā)明（設計）人： | 韋冬;李慶;于波;趙柯 | 申請（專利權）人： | 蘇州芯聚半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L27/15;H01L33/48 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 常偉 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發(fā)光二極管 襯底 剝離 方法 陣列 | ||
1.一種發(fā)光二極管襯底的剝離方法，其特征在于，所述剝離方法包括：
提供襯底，在所述襯底生長犧牲層，在所述犧牲層的表面生長發(fā)光二極管器件；
提供輔助基板；
涂布鍵合膠至所述輔助基板的周邊或者所述襯底的周邊；
于氮氣腔室中，鍵合所述襯底和所述輔助基板，使得所述襯底、所述輔助基板以及所述鍵合膠共同限定出的密閉空間內充滿氮氣；以及
激光照射并穿過所述襯底，使所述犧牲層熱解，所述襯底和所述發(fā)光二極管器件分離；
其中，所述密閉空間內的氮氣的氣壓大于外界環(huán)境中的大氣壓。
2.根據(jù)權利要求1所述的剝離方法，其特征在于，鍵合所述襯底和所述輔助基板后，所述鍵合膠粘合所述犧牲層的表面和所述輔助基板的表面形成所述密閉空間，所述發(fā)光二極管器件位于所述密閉空間內。
3.根據(jù)權利要求2所述的剝離方法，其特征在于，當所述襯底和所述發(fā)光二極管器件分離后，激光照射所述輔助基板上的所述鍵合膠，所述鍵合膠從所述輔助基板的表面上移除。
4.根據(jù)權利要求1所述的剝離方法，其特征在于，所述襯底為藍寶石襯底。
5.根據(jù)權利要求1所述的剝離方法，其特征在于，所述犧牲層包括氮化系半導體層。
6.根據(jù)權利要求5所述的剝離方法，其特征在于，所述氮化系半導體層包括氮化鎵層或氮化鋁層。
7.根據(jù)權利要求1所述的剝離方法，其特征在于，所述輔助基板為TFT基板或者印刷電路板。
8.根據(jù)權利要求1所述的剝離方法，其特征在于，所述發(fā)光二極管器件包括電極端子，對應于所述電極端子，所述輔助基板上設置接收端子，所述電極端子和所述接收端子電性導通。
9.一種發(fā)光二極管陣列，其包括多個發(fā)光二極管器件，其特征在于，所述多個發(fā)光二極管器件為通過如權利要求1-8中任意一項所述的剝離方法，從所述襯底上剝離獲得。
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