[發明專利]一種高線性度低噪聲功率跨導放大電路

在審

• 申請號: 202011444416.4
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN112491368A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 蘇杰;李孫華;徐祎喆;朱勇
• 申請（專利權）人: 重慶百瑞互聯電子技術有限公司
• 主分類號: H03F1/32
• 分類號: H03F1/32;H03F1/26
• 代理公司: 北京國科程知識產權代理事務所(普通合伙) 11862
• 代理人: 曹曉斐

1.一種高線性度低噪聲功率跨導放大電路，其特征在于包括：匹配網絡模塊、雙放大模塊、以及反饋模塊；

所述匹配網絡模塊用于進行寬帶匹配；

所述雙放大模塊包括設置在強反型區域的主互補共源極放大器以及設置在弱反型區域的輔助互補共源極放大器，用于對輸入的射頻信號進行放大；

所述反饋模塊用于對經所述雙放大模塊放大后的射頻信號進行反饋。

2.根據權利要求1所述的高線性度低噪聲功率跨導放大電路，其特征在于，

所述匹配網絡模塊包括片外電容、寄生電容以及寄生電感。

3.根據權利要求1所述的高線性度低噪聲功率跨導放大電路，其特征在于，

所述反饋模塊包括反饋電阻以及互補共源極跟隨器。

4.根據權利要求1所述的高線性度低噪聲功率跨導放大器，其特征在于，所述主互補共源極放大器包括第一MOS管以及第二MOS管，所述輔助互補共源極放大器包括第三MOS管以及第四MOS管；所述第一MOS管與所述第三MOS管是相同類型的MOS管，所述第二MOS管、第四MOS管為與所述第一MOS管互補類型的MOS管。

5.根據權利要求4所述的高線性度低噪聲功率跨導放大器，其特征在于，

所述第一MOS管為PMOS管，所述第一MOS管的源極與外部電源連接，所述第一MOS管的柵極通過第一偏置電阻與第一直流偏置電壓端，以及通過第一隔直電容及片外電感與信號輸入端連接，所述第一MOS管的漏極與反饋模塊、所述第二MOS管的漏極以及輸出端連接；

所述第二MOS管為NMOS管，所述第二MOS管的源極接地，所述第二MOS管的柵極通過第二偏置電阻與第二直流偏置電壓端，以及通過第二隔直電容及片外電感與信號輸入端連接，所述第二MOS管的漏極與反饋模塊、所述第一MOS管的漏極以及輸出端連接；

所述第三MOS管為PMOS管，所述第三MOS管的源極與外部電源連接，所述第三MOS管的柵極通過第三偏置電阻與第三直流偏置電壓端，以及通過第三隔直電容及片外電感與信號輸入端連接，所述第三MOS管的漏極與反饋模塊、所述第四MOS管的漏極以及輸出端連接；

所述第四MOS管為NMOS管，所述第四MOS管的源極接地，所述第四MOS管的柵極通過第三偏置電阻與第四直流偏置電壓端，以及通過第四隔直電容及片外電感與信號輸入端連接，所述第四MOS管的漏極與反饋模塊、所述第三MOS管的漏極以及輸出端連接。

6.根據權利要求2所述的高線性度低噪聲功率跨導放大器，其特征在于，

所述寄生電容包括低噪聲功率跨導放大器的寄生電容、靜電釋放的保護二極管焊盤的寄生電容，所述寄生電感包括鍵合線寄生電感。

7.根據權利要求3所述的高線性度低噪聲功率跨導放大器，其特征在于，

所述互補共源極跟隨器包括第五MOS管以及第五MOS管，所述第五MOS管與所述第五MOS管為互補類型的MOS管。

8.根據權利要求7所述的高線性度低噪聲功率跨導放大器，其特征在于，

所述第五MOS管為PMOS管，所述第五MOS管的源極通過反饋電阻及片外電感與信號輸入端連接，所述第五MOS管的柵極通過第五偏置電阻與第五直流偏置電壓端以及通過第五隔直電容與第一MOS管的漏極、第二MOS管的漏極、第三MOS管的漏極以及第四MOS管的漏極，并且通過第五隔直電容及第六隔直電容與第五MOS管的柵極連接，所述第五MOS管的漏極與外部電源連接；

所述第六MOS管為NMOS管，所述第六MOS管的源極通過反饋電阻及片外電感與信號輸入端連接，所述第六MOS管的柵極通過第六偏置電阻與第六直流偏置電壓端以及通過第六隔直電容與第一MOS管的漏極、第二MOS管的漏極、第三MOS管的漏極、第四MOS管的漏極，并且通過第六隔直電容及第五隔直電容與第五MOS管的柵極連接，所述第六MOS管的漏極接地。