[發明專利]薄膜晶體管陣列基板和包括其的數字X射線檢測器設備在審
| 申請號: | 202011442557.2 | 申請日: | 2020-12-08 |
| 公開(公告)號: | CN113013156A | 公開(公告)日: | 2021-06-22 |
| 發明(設計)人: | 孔敏碩;金素英;姜汶秀;尹載皓 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L27/146;G01T1/24;G01T1/20;G01T1/161 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 張偉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 薄膜晶體管 陣列 包括 數字 射線 檢測器 設備 | ||
1.一種用于數字X射線檢測器設備的薄膜晶體管陣列基板,包括:
基礎基板,其中限定了驅動區域和非驅動區域;
至少一個讀出電路焊盤,其設置在所述非驅動區域中并電連接到所述驅動區域;
至少一條讀出電路焊盤連接線,其將所述驅動區域電連接到所述至少一個讀出電路焊盤;以及
至少一條靜電感應線,
其中,所述至少一條靜電感應線電連接到所述至少一條讀出電路焊盤連接線,并且
其中,所述至少一條靜電感應線具有比所述至少一條讀出電路焊盤連接線的電阻大的電阻。
2.根據權利要求1所述的用于數字X射線檢測器設備的薄膜晶體管陣列基板,其中,所述至少一條靜電感應線不與所述至少一條讀出電路焊盤連接線重疊,并且設置在彼此相鄰的所述讀出電路焊盤連接線之間。
3.根據權利要求2所述的用于數字X射線檢測器設備的薄膜晶體管陣列基板,其中,所述至少一條靜電感應線具有比所述至少一條讀出電路焊盤連接線的寬度小的寬度。
4.根據權利要求3所述的用于數字X射線檢測器設備的薄膜晶體管陣列基板,進一步包括至少一個電容器,所述至少一個電容器設置在所述至少一條靜電感應線的下方。
5.根據權利要求1所述的用于數字X射線檢測器設備的薄膜晶體管陣列基板,其中,所述至少一條靜電感應線與所述至少一條讀出電路焊盤連接線重疊,并且設置在所述至少一條讀出電路焊盤連接線的下方。
6.根據權利要求5所述的用于數字X射線檢測器設備的薄膜晶體管陣列基板,其中,所述至少一條靜電感應線由包括氧化銦錫(ITO)的材料制成。
7.根據權利要求5所述的用于數字X射線檢測器設備的薄膜晶體管陣列基板,其中,所述至少一條靜電感應線具有寬度重復增大或減小的圖案。
8.根據權利要求2所述的用于數字X射線檢測器設備的薄膜晶體管陣列基板,
其中,所述驅動區域包括驅動薄膜晶體管、PIN二極管和偏置電極,
其中,所述驅動薄膜晶體管包括有源層、第一電極、第二電極和柵電極,
其中,所述PIN二極管電連接到所述驅動薄膜晶體管,并且包括上電極、PIN層和下電極,
其中,所述偏置電極電連接到所述PIN二極管,并且
其中,所述至少一條靜電感應線由與所述偏置電極相同的材料制成,并且與所述偏置電極設置在相同的層上。
9.根據權利要求8所述的用于數字X射線檢測器設備的薄膜晶體管陣列基板,進一步包括設置在所述至少一條靜電感應線的下方的第一靜電感應電容器電極和第二靜電感應電容器電極,
其中,所述第一靜電感應電容器電極由與所述第一電極和所述第二電極中相同的材料制成,并且與所述第一電極和所述第二電極設置在相同的層上,并且
其中,所述第二靜電感應電容器電極由與所述柵電極相同的材料制成,并且與所述柵電極設置在相同的層上。
10.根據權利要求5所述的用于數字X射線檢測器設備的薄膜晶體管陣列基板,
其中,所述驅動區域包括驅動薄膜晶體管、PIN二極管和偏置電極,
其中,所述驅動薄膜晶體管包括有源層、第一電極、第二電極和柵電極,
其中,所述PIN二極管電連接到所述驅動薄膜晶體管,并且包括上電極、PIN層和下電極,
其中,所述偏置電極電連接到所述PIN二極管,并且
其中,所述至少一條靜電感應線由與所述上電極相同的材料制成,并且與所述上電極設置在相同的層上。
11.根據權利要求1所述的用于數字X射線檢測器設備的薄膜晶體管陣列基板,其中,所述至少一條靜電感應線進一步連接在所述至少一個讀出電路焊盤下方。
12.一種數字X射線檢測器設備,包括:
根據權利要求1-11中任一項所述的用于數字X射線檢測器設備的薄膜晶體管陣列基板;
讀出電路,其連接到所述讀出電路焊盤;
至少一條讀出電路連接線,其設置在所述基礎基板上方并將所述讀出電路焊盤電連接到所述讀出電路;以及
閃爍體層,其設置在所述薄膜晶體管陣列基板的上方;
其中,所述至少一條靜電感應線進一步連接到所述至少一條讀出電路連接線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





