[發(fā)明專利]超大尺寸半導(dǎo)體單晶硅棒生長方法及單晶硅棒在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011433010.6 | 申請日： | 2020-12-14 |
| 公開（公告）號： | CN112553684A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 夏秋良;劉坤 | 申請（專利權(quán)）人： | 新美光（蘇州）半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/22 | 分類號： | C30B15/22;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 榮穎佳 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 超大 尺寸 半導(dǎo)體 單晶硅 生長 方法 | ||
1.一種超大尺寸半導(dǎo)體單晶硅棒生長方法，其特征在于，包括以下步驟：
加熱單晶硅原料的底部，待所述單晶硅原料的底部熔化時向上拉制熔化的所述單晶硅原料；
隨著所述單晶硅原料被拉升，減小對熔化的所述單晶硅原料的拉升速度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超大尺寸半導(dǎo)體單晶硅棒生長方法，其特征在于，所述拉升速度為0.3mm/min～0.6mm/min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超大尺寸半導(dǎo)體單晶硅棒生長方法，其特征在于，所述向上拉制熔化的所述單晶硅原料的步驟包括：
分段拉制熔化的所述單晶硅原料，拉制過程分為：第一拉制段、第二拉制段、第三拉制段、第四拉制段、第五拉制段和第六拉制段；
所述第一拉制段、所述第二拉制段、所述第三拉制段、所述第四拉制段、所述第五拉制段和所述第六拉制段的拉升速度依次遞減。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超大尺寸半導(dǎo)體單晶硅棒生長方法，其特征在于，所述第一拉制段的拉升速度為0.7mm/min～0.9mm/min；
所述第二拉制段的拉升速度為0.6mm/min；
所述第三拉制段的拉升速度為0.55mm/min；
所述第四拉制段的拉升速度為0.45mm/min～0.55mm/min；
所述第五拉制段的拉升速度為0.45mm/min；
所述第六拉制段的拉升速度為0.3mm/min。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超大尺寸半導(dǎo)體單晶硅棒生長方法，其特征在于，在拉制熔化的所述單晶硅原料的過程中施加磁場。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超大尺寸半導(dǎo)體單晶硅棒生長方法，其特征在于，所述磁場的強度為2000高斯～4000G高斯。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超大尺寸半導(dǎo)體單晶硅棒生長方法，其特征在于，在拉制熔化的所述單晶硅原料的過程中通入氬氣。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超大尺寸半導(dǎo)體單晶硅棒生長方法，其特征在于，所述氬氣純度大于99.999999％，且所述氬氣的流量為150L/min～200L/min。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超大尺寸半導(dǎo)體單晶硅棒生長方法，其特征在于，所述加熱單晶硅原料的底部包括：
使用石英坩堝加熱單晶硅原料，并使所述石英坩堝和所述單晶硅原料繞同一豎向軸線旋轉(zhuǎn)；
所述石英坩堝的轉(zhuǎn)速小于等于1r/min，所述單晶硅原料的轉(zhuǎn)速為4r/min。
10.一種單晶硅棒，其特征在于，所述單晶硅采用權(quán)利要求1－9任一項所述的超大尺寸半導(dǎo)體單晶硅棒生長方法加工形成，且所述單晶硅的放肩部位(100)形成弧形曲面(110)。
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