[發明專利]一種晶圓生產切割用冷卻設備在審
| 申請號: | 202011428944.0 | 申請日: | 2020-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN112687580A | 公開(公告)日: | 2021-04-20 |
| 發明(設計)人: | 高洪慶;吳禹凡 | 申請(專利權)人: | 蘇州立科工業設計有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 蘇州睿昊知識產權代理事務所(普通合伙) 32277 | 代理人: | 陳華紅子 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州市吳中區*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 生產 切割 冷卻 設備 | ||
本發明涉及機械設備的技術領域,特別是涉及一種晶圓生產切割用冷卻設備,其通過對晶圓進行自動攔截冷卻處理,可方便使晶圓溫度快速降低,縮短其冷卻時間,提高工作效率,同時避免晶圓長靜置冷卻時,外界空氣中的雜質對其造成的污染,方便對晶圓進行保護,提高實用性和可靠性;包括工作臺、四組支腿和三組封板,四組支腿均安裝在工作臺的底部,工作臺的頂部左側設置有推送裝置,三組封板環形均勻安裝在推送裝置的外側,三組封板的方向相對,每組封板的外部上側均設置有兩組第一推桿。
技術領域
本發明涉及機械設備的技術領域,特別是涉及一種晶圓生產切割用冷卻設備。
背景技術
眾所周知,晶圓是電子元件的基礎元件,其形狀為圓形薄片,晶圓主要由圓柱形硅棒經過激光切割而成,晶圓切割完成后,其上溫度較高,不能直接將電子元件安裝在其上,需對其進行降溫處理,現有降溫方式主要是通過靜置自然冷卻或風冷進行降溫,然而采用此種冷卻方式時,晶圓溫度降低速度較慢,冷卻效率較低,同時晶圓長時間靜置時,外界空氣中漂浮的雜質容易沉積在晶圓上,導致晶圓容易受到污染。
發明內容
為解決上述技術問題,本發明提供一種通過對晶圓進行自動攔截冷卻處理,可方便使晶圓溫度快速降低,縮短其冷卻時間,提高工作效率,同時避免晶圓長靜置冷卻時,外界空氣中的雜質對其造成的污染,方便對晶圓進行保護,提高實用性和可靠性的晶圓生產切割用冷卻設備。
本發明的一種晶圓生產切割用冷卻設備,包括工作臺、四組支腿和三組封板,四組支腿均安裝在工作臺的底部,工作臺的頂部左側設置有推送裝置,三組封板環形均勻安裝在推送裝置的外側,三組封板的方向相對,每組封板的外部上側均設置有兩組第一推桿,每組封板的外部下側均設置有第一支撐板,每組第一支撐板的外側均設置有細孔吸盤,每組細孔吸盤均與外界氣泵連通,工作臺的頂部右側設置有冷卻倉,冷卻倉的前側設置有中控箱,冷卻倉的左側連通設置有通口,通口的右側蓋裝有蓋板,蓋板的頂部通過彈簧鉸接在冷卻倉的內壁左上側,蓋板的左側均勻設置有多組噴頭,多組噴頭均位于通口內,多組噴頭的位置與每組封板上的兩組第一推桿位置交錯,蓋板的右側設置有導氣倉,導氣倉與多組噴頭的右側連通,冷卻倉的右下側連通設置有第一氣管,第一氣管的下側輸入端傾斜,冷卻倉的頂部設置有制冷倉,制冷倉的內部豎向設置有螺旋制冷罐,螺旋制冷罐的內部上側設置有散氣斗,制冷倉的頂部設置有吸泵,吸泵的上側輸入端和下側輸出端分別與第一氣管的上側輸出端和散氣斗的上側輸入端連通,制冷倉的左下側連通設置有第二氣管,冷卻倉的頂部后側豎向設置有導氣桶,導氣桶的底部伸入至冷卻倉內部上側,第二氣管的后側輸出端安裝在導氣桶的左下側并與導氣桶內部連通,導氣桶的內部密封滑動設置有活塞塊,活塞塊的底部設置有第二推桿,第二推桿的底部穿過導氣桶的底部并伸入至冷卻倉內部,第二推桿與導氣桶滑動密封連接,第二推桿的底部轉動設置有第三推桿,第三推桿傾斜,第三推桿的底部轉動安裝在導氣倉的右上側,導氣倉的右上側連通設置有第三氣管,第三氣管的上側輸入端安裝在導氣桶上,活塞塊對導氣桶上第二氣管的后側輸出端和第三氣管的上側輸入端進行封堵處理,中控箱分別與推送裝置、螺旋制冷罐和吸泵信號連接;外界切割后的晶圓放置在左后側封板上的細孔吸盤頂部,外界氣泵可對左后側細孔吸盤內部進行吸氣處理,左后側細孔吸盤對其上的晶圓進行吸附固定處理,中控箱控制推送裝置逆時針轉動并帶動晶圓轉動,晶圓轉動至推送裝置的右側并與冷卻倉左側的通口位置對應,中控箱控制推送裝置推動右側封板和其上的兩組第一推桿、第一支撐板、細孔吸盤和晶圓向右移動,右側封板上的兩組第一推桿首先與通口內的蓋板左上側接觸并推動蓋板逆時針打開,蓋板帶動導氣倉逆時針轉動至水平狀態,此時多組噴頭轉動至豎直狀態,蓋板推動彈簧產生彈性變形,此時右側封板上的兩組第一推桿、第一支撐板、細孔吸盤和晶圓均通過通口伸入至冷卻倉內,右側封板蓋裝在通口的左側,當蓋板轉動時,蓋板通過導氣倉和第三推桿推動第二推桿向上移動,第二推桿帶動活塞塊在導氣桶內向上移動,活塞塊遠離第二氣管的后側輸入端和第三氣管的上側輸入端并停止對第二氣管和第三氣管進行封堵工作,此時第二氣管通過導氣桶可與第三氣管連通,中控箱控制打開螺旋制冷罐和吸泵,螺旋制冷罐對制冷倉內空氣進行制冷降溫處理并形成冷氣流,吸泵通過第一氣管將冷卻倉內的空氣抽離并通過散氣斗排入至制冷倉內的螺旋制冷罐內,排入制冷倉內的空氣擴散至螺旋制冷罐周圍并降溫形成冷氣流,制冷倉內的冷氣流通過第二氣管、導氣桶和第三氣管排入至導氣倉內,導氣倉內的冷氣流通過多組噴頭向下噴出之冷卻倉內的晶圓上,從而對晶圓進行冷卻處理,冷卻倉內的冷氣流向下流動并通過第一氣管下側輸入端重新進入第一氣管內,冷卻倉內的晶圓冷卻完成后,關閉吸泵,中控箱控制右側封板和其上的第一推桿、第一支撐板、細孔吸盤和晶圓向左移動并恢復至初始位置,此時右側封板停止對冷卻倉左側通口的蓋裝工作,彈簧推動蓋板順時針轉動并重新蓋裝在通口上,蓋板通過導氣倉、第三推桿和第二推桿帶動活塞塊向下移動至初始位置,活塞塊重新對第二氣管的后側輸出端和第三氣管的上側輸入端進行封堵,中控箱控制推送裝置轉動并將下一組晶圓傳送至冷卻倉的左側,三組封板上的細孔吸盤可連續對晶圓進行送料工作,從而實現對晶圓的連續自動冷卻處理,通過對晶圓進行自動攔截冷卻處理,可方便使晶圓溫度快速降低,縮短其冷卻時間,提高工作效率,同時避免晶圓長靜置冷卻時,外界空氣中的雜質對其造成的污染,方便對晶圓進行保護,提高實用性和可靠性。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





