[發明專利]一種含有飽和雜鏈結構的電解質及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 202011422335.4
• 申請日: 2020-12-08
• 公開（公告）號: CN114621266A
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 俞會根;楊萌;程勇斌
• 申請（專利權）人: 北京衛藍新能源科技有限公司
• 主分類號: C07F5/02
• 分類號: C07F5/02;C07F7/08;C07F7/18;H01M10/0525;H01M10/0567;H01M10/42
• 代理公司: 北京智丞瀚方知識產權代理有限公司 11810
• 代理人: 白月霞

1.一種含有飽和雜鏈結構的電解質，其特征在于，所述電解質包括三氟化硼鹽，所述三氟化硼鹽的結構如通式Ⅰ所示：

MF₃BS-R₁-R 通式Ⅰ

其中，M為金屬陽離子；R獨立地為無或含有至少一個碳原子的第一鏈；R₁獨立地為無或含有至少一個碳原子的第二鏈；所述第一鏈和所述第二鏈均為飽和鏈，所述第一鏈和第二鏈中的任意一個C上的H均可獨立地被取代基取代，該取代基包括H、含有至少一個原子的鏈式取代基以及環狀取代基；所述第一鏈、第二鏈以及鏈式取代基中含有至少一個非碳的雜原子。

2.根據權利要求1所述的電解質，其特征在于，

在通式Ⅰ中，所述雜原子包括鹵素原子、S、N、O、P、Se、Ca、Al、B或Si；

在通式Ⅰ中，R為1-30個原子的飽和雜鏈；R₁為0-10個原子的飽和雜鏈。

3.根據權利要求2所述的電解質，其特征在于，在通式Ⅰ中，R為1-20個原子的飽和雜鏈；R₁為0-5個原子的飽和雜鏈。

4.根據權利要求3所述的電解質，其特征在于，所述鏈式取代基選自鹵素原子、烷基、雜烷基、醚氧基、醚硫基、含N取代基、鹽類取代基和這些取代基中任意一個C上的H被鹵素取代后的取代基團；雜烷基中的雜原子包括權利要求1或2中所述的雜原子；

所述環狀取代基包括三元環、四元環、五元環、六元環、七元環、八元環和同時含有兩個或兩個以上環結構的多環取代基；

所述環狀取代基上能夠選擇性連接第一取代基。

5.根據權利要求4所述的電解質，其特征在于，所述通式Ⅰ包括以下結構：

(A)

(B)

在以上結構中，Q表示-SBF₃M或-R₁-SBF₃M；A₁-A₂₉獨立地選自權利要求1-3中任意一項所述的取代基，優選所述取代基選自H、C₁-C₆烷基或所述環狀取代基。

6.根據權利要求5所述的電解質，其特征在于，在上述(A)和(B)中，A₁-A₂₉均獨立地為第二取代基，該第二取代基選自H、鹵素原子、烷基、鹵代烷基、烷氧基、烷硫基、雙取代氨基、環狀取代基或者第二取代基中任意一個C上的H被鹵素取代后的基團；

且在(B)中，每個結構中還至少含有一個帶有非碳雜原子的第二取代基，優選地，含有雜原子的第二取代基為鹵素原子、烷氧基或烷硫基。

7.根據權利要求6所述的電解質，其特征在于，在(A)中，所述第二取代基選自H、鹵素原子、甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、-CF₃、-CHF₂、-CH₂F、-OCH₃或環狀取代基，該環狀取代基包括環丙基、環丁基、環戊基、環己基、苯環、吡啶環或多環；上述的這些環狀取代基中的任意一個H均可獨立地被甲基、乙基、硝基、醚基或鹵素取代；且連接于末尾原子上的第二取代基A優選為H、鹵素原子、甲基、-CF₃、-CHF₂、-CH₂F；

在(B)中，每個結構中至少含有一個鹵素原子作為取代基，優選F或Cl。