[發明專利]一種控擋片清洗液及清洗方法

有效

• 申請號: 202011418720.1
• 申請日: 2020-12-07
• 公開（公告）號: CN112592775B
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 尹印;徐子豪;萬楊陽;賀兆波;張庭;馮凱;王書萍;倪高國
• 申請（專利權）人: 湖北興福電子材料有限公司
• 主分類號: C11D7/08
• 分類號: C11D7/08;C11D7/50;C11D7/32;C11D7/10;C11D7/60;C11D3/37;B08B3/08
• 代理公司: 宜昌市三峽專利事務所 42103
• 代理人: 成鋼

本發明屬于集成電路電子化學品領域，具體涉及一種控擋片清洗液及使用方法。所述控擋片清洗液主要成分包含氟化物、剝離劑、浸潤劑、有機溶劑及水；氟化物含量10~30wt%、剝離劑含量0.1~1wt%、浸潤劑含量0.1~1wt%、有機溶劑含量25~35wt%、余量為水。所述控擋片清洗液可用于清洗各種類型的氧化硅、正硅酸乙酯、氮化硅、多晶硅、光刻膠等薄膜，所述控擋片上具有所述材料。

技術領域

本發明屬于電子化學品領域，具體涉及一種控擋片清洗液。

背景技術

晶圓是指制作硅半導體電路所用的硅晶片，在晶圓上加工制作各種電路元件結構，可以使之成為具有特定電性功能的IC集成電路。制造晶圓的精細要求極高，硅片表面的平整度將直接關系到芯片的性能質量，所以晶圓廠需要時刻對制造設備的性能進行監測測試以及維持穩定，以保證最終的成品率。用于測試和維持穩定的無圖形硅片就是控片和擋片。

控片主要用來監控機臺的制程能力是否穩定、生產環境是否潔凈。通過使用控片，可以對離子注入、薄膜沉積、光刻、刻蝕和研磨等制程中的例如電阻率、薄膜沉積速率、刻蝕速率、研磨速率以及均勻性等進行監測。擋片的作用主要是維持機臺的穩定性。擋片被用于隔絕制程條件較差的地方以及填充產品不足時空出的位置，對爐管內的氣流進行阻擋分層并使爐管內溫度均勻分布，從而使氣流中的反應氣體與被加工硅片均勻接觸、均勻受熱，發生化學物理反應，沉淀或生長均勻的高質量薄膜。

控片和擋片在使用之后一般會存在各種薄膜，包括氧化硅、氮化硅、多晶硅、光刻膠等。由于控擋片使用量大，若每次都用全新的擋控片則測試成本過高。于是通常采用晶圓再生的方法將用過的擋片，控片回收，經過化學浸泡，物理研磨等處理方法將擋片、控片表面因測試而產生的氧化膜、金屬顆粒殘留等去掉，使他們能夠重新具備測試和穩定機臺穩定性的功能。而由于薄膜類型復雜，針對不同的膜層需要使用不同的化學試劑進行腐蝕，所有晶圓廠需要使用多種化學藥液來去除各種薄膜，導致控擋片清洗再生步驟繁瑣，效率較低，化學品種類過多也不利于管控原料品質和安全性。

發明內容

本發明針對現有半導體集成電路工藝中控擋片清洗再生使用的化學品種類繁多，清洗效率較低的問題，目的在于提供一種控擋片清洗液及使用方法，可有效去除各種類型的氧化硅、氮化硅、多晶硅、光刻膠，提高晶圓再生效率。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案為：

一種控擋片清洗液，用于配合雙氧水使用以去除控擋片上化合物薄膜，使控擋片再生重復利用。

上述方案中，所述化合物薄膜為氧化硅薄膜、正硅酸乙酯薄膜、氮化硅薄膜、多晶硅薄膜、光刻膠薄膜及其他有機物薄膜。

上述方案中，所述控擋片清洗液主要成分包含氟化物、剝離劑、浸潤劑及有機溶劑。

上述方案中，所述氟化物為氫氟酸或氫氟酸與氟硼酸銨、四丁基氟化銨、二乙胺基三氟化硫、6-三氟甲基煙酸的混合物。

上述方案中，所述剝離劑為丙二醇聚醚、三羥甲基丙烷聚醚、N,N二甲基乙醇胺中、二甲基乙酰胺物質中的一種或其組合物。

上述方案中，所述浸潤劑為二羥乙基咪唑啉、咪唑啉磷酸酯鹽、磺酸型咪唑啉等物質中的一種或其組合物。

上述方案中，所述的有機溶劑為醇醚、砜、吡咯烷酮的組合物。

上述方案中，所述的醇醚選自乙二醇甲醚，乙二醇乙醚，乙二醇丁醚，二乙二醇甲醚，二乙二醇丁醚，三乙二醇丁醚，丙二醇丁醚，丙二醇甲醚，二丙二醇甲醚，環己二醇單甲醚物質中的一種；所述的砜選自環丁砜，二甲基砜，二乙基砜的一種；所述的吡咯烷酮選自2-吡咯烷酮，N-甲基吡咯烷酮，N-辛基吡咯烷酮物質中的一種。

上述方案中，所述至少一種氟化物含量10～30wt％、有機溶劑含量25～35wt％、至少一種剝離劑含量0.1～1wt％、至少一種浸潤劑含量0.1～1wt％，余量為水。