[發明專利]一種高絕緣性納米防護涂層的制備方法在審
| 申請號: | 202011414005.0 | 申請日: | 2017-08-23 |
| 公開(公告)號: | CN112680722A | 公開(公告)日: | 2021-04-20 |
| 發明(設計)人: | 宗堅 | 申請(專利權)人: | 江蘇菲沃泰納米科技股份有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50;C23C16/56;C23C16/515;C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京商專永信知識產權代理事務所(普通合伙) 11400 | 代理人: | 鄔玥;方挺 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 絕緣性 納米 防護 涂層 制備 方法 | ||
1.一種高絕緣性納米防護涂層的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
(1)前處理:
將基材置于納米涂層制備設備的反應腔室內,對反應腔室連續抽真空,將反應腔室內的真空度抽到10~200毫托,并通入惰性氣體He、Ar或He和Ar混合氣體,開啟運動機構,使基材在反應腔室內產生運動;
(2)高絕緣性涂層制備:
通入單體蒸汽到反應腔室內,至真空度為30~300毫托,開啟等離子體放電,進行化學氣相沉積,在基材表面化學氣相沉積制備高絕緣性納米涂層;
所述單體蒸汽成分為:
至少一種有機物單體和至少一種多官能度不飽和烴及烴類衍生物的混合物,所述單體蒸汽中多官能度不飽和烴及烴類衍生物所占的質量分數為15~65%;
所述通入單體蒸汽的流量為10~1000μL/min;
(3)后處理:
停止通入單體蒸汽,同時停止等離子體放電,持續抽真空,保持反應腔室真空度為10~200毫托,1~5min后通入空氣至一個大氣壓,停止基材的運動,然后取出基材即可;
或者,停止通入單體蒸汽,同時停止等離子體放電,向反應腔室內充入空氣或惰性氣體至壓力2000-5000毫托,然后抽真空至10-200毫托,進行上述充氣和抽真空步驟至少一次,通入空氣至一個大氣壓,停止基材的運動,然后取出基材即可;
所述有機物單體包括:對二甲苯、苯、甲苯、四氟化碳、d-甲基苯乙烯、聚對二氯甲苯、二甲基硅氧烷、分子量500-50000的聚二甲基硅氧烷、烯丙苯、十氟聯苯、十氟聯苯酮、全氟烯丙基苯、四氟乙烯、六氟丙烯、1H,1H-全氟辛基胺、全氟碘代十二烷、全氟三丁胺、1,8-二碘代全氟辛烷、全氟己基碘烷、全氟碘代丁烷、全氟碘代癸烷、全氟辛基碘烷、1,4-二(2′,3′-環氧丙基)全氟丁烷、十二氟-2-甲基-2-戊烯、2-(全氟丁基)乙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟辛基)乙基甲基丙烯酸酯、2-(全氟辛基)碘代乙烷、全氟癸基乙基碘、1,1,2,2-四氫全氟己基碘、全氟丁基乙烯、1H,1H,2H-全氟-1-癸烯、2,4,6-三(全氟庚基)-1,3,5-三嗪、全氟己基乙烯、3-(全氟正辛基)-1,2-環氧丙烷、全氟環醚、全氟十二烷基乙烯、全氟十二烷基乙基碘、二溴對二甲苯、1,1,4,4-四苯基-1,3-丁二烯;
所述多官能度不飽和烴及烴類衍生物包括:
1,3-丁二烯、異戊二烯、1,4-戊二烯、乙氧基化三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、二縮三丙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、二丙烯酸乙二醇酯、二乙二醇二乙烯基醚或二丙烯酸新戊二醇酯。
2.根據權利要求1所述的一種高絕緣性納米防護涂層的制備方法,其特征在于:所述步驟(1)中基材在反應腔室內產生運動,基材運動形式為基材相對反應腔室進行直線往復運動或曲線運動,所述曲線運動包括圓周運動、橢圓周運動、行星運動、球面運動或其他不規則路線的曲線運動。
3.根據權利要求1所述的一種高絕緣性納米防護涂層的制備方法,其特征在于:所述步驟(1)中基材為固體材料,所述固體材料為電子產品、電器部件、電子組裝半成品,PCB板、金屬板、聚四氟乙烯板材或者電子元器件,且所述基材表面制備有機硅納米涂層后其任一界面可暴露于水環境,霉菌環境,酸、堿性溶劑環境,酸、堿性鹽霧環境,酸性大氣環境,有機溶劑浸泡環境,化妝品環境,汗液環境,冷熱循環沖擊環境或濕熱交變環境中使用。
4.根據權利要求1所述的一種高絕緣性納米防護涂層的制備方法,其特征在于:所述步驟(1)中反應腔室為旋轉體形腔室或者立方體形腔室,其容積為50~1000L,反應腔室的溫度控制在30~60℃,所述惰性氣體通入流量為5~300sccm。
5.根據權利要求1所述的一種高絕緣性納米防護涂層的制備方法,其特征在于:所述步驟(2)中:等離子體放電,進行化學氣相沉積,沉積過程中等離子體放電過程包括小功率連續放電、脈沖放電或周期交替放電。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





