[發(fā)明專利]一種復(fù)合型釹鐵硼磁體及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011409245.1
• 申請日: 2020-12-06
• 公開（公告）號: CN112700939A
• 公開（公告）日: 2021-04-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 毛華云;毛琮堯;劉永;賴欣
• 申請（專利權(quán)）人: 江西金力永磁科技股份有限公司
• 主分類號: H01F1/057
• 分類號: H01F1/057;H01F41/02
• 代理公司: 南昌豐擇知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 36137
• 代理人: 劉小平

1.一種復(fù)合型釹鐵硼磁體，其特征在于，包括釹鐵硼磁體及復(fù)合在所述釹鐵硼磁體的表面的RTMH氫化物薄膜層；其中，所述RTMH氫化物薄膜層中R為Dy、Tb中的一種或兩種；T為Fe、Co、Ni中的一種或多種；M為Al、Cu、Zn、Ga、Bi、Sn、Pb、In 中的一種或多種；H為氫元素。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合型釹鐵硼磁體，其特征在于，所述RTMH氫化物薄膜層的重量占所述復(fù)合型釹鐵硼磁體的總重量的比例為小于或等于3%。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種復(fù)合型釹鐵硼磁體，其特征在于，所述RTMH氫化物薄膜層內(nèi)的R、T、M三類元素的組合使得RTM合金的熔點(diǎn)低于950℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種復(fù)合型釹鐵硼磁體，其特征在于，按百分比的重量，所述RTMH氫化物薄膜層包括：40~98重量份的R、小于或等于30重量份的T、小于或等于30重量份的M及小于或等于2重量份的H。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種復(fù)合型釹鐵硼磁體，其特征在于，所述釹鐵硼磁體的毛坯包括按質(zhì)量百分比的28%~33% Pr-Nd、0~10% Dy、0~10% Tb、0~5% Nb、0.5%~1.05% B、0~3.0%Al、0~1% Cu、0~3% Co、0~2% Ga、0~2% Gd、0~2% Ho、0~2% Zr、0~2% Ti及余量的Fe。

6.一種復(fù)合型釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、R選用Dy和Tb中的一種或兩種，T選用Fe、Co、Ni中的一種或多種，M選用Al、Cu、Zn、Ga、Bi、Sn、Pb、In中的一種或多種，H為氫元素，組成RTM合金，再對RTM合金進(jìn)行熔煉、氫碎、氣流磨后，得到RTMH氫化物粉末；

步驟S2、將RTMH氫化物粉末與有機(jī)溶劑進(jìn)行混合，得到懸濁液；

步驟S3、將所述懸濁液涂覆在由釹鐵硼磁體的毛坯制成的半成品的表面；

步驟S4、將涂覆了懸濁液的半成品進(jìn)行擴(kuò)散熱處理后，得到復(fù)合型釹鐵硼磁體。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種復(fù)合型釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，在步驟S1內(nèi)，所述RTMH氫化物粉末的平均粒度為1μm~50μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種復(fù)合型釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，在步驟S2內(nèi)，所述有機(jī)溶劑包括汽油、乙醇和丙烯酸中的一種或多種。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種復(fù)合型釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，在步驟S2內(nèi)，RTMH氫化物粉末與有機(jī)溶劑的混合溫度為30℃~38℃和混合時(shí)間為12h~23h。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種復(fù)合型釹鐵硼磁體的制備方法，其特征在于，在步驟S4內(nèi)，對所述半成品進(jìn)行的熱處理包括高溫?cái)U(kuò)散處理和低溫回火處理，所述高溫?cái)U(kuò)散處理的溫度為850℃~1200℃和時(shí)間為2h~18h；所述低溫回火處理的溫度為300℃~500℃和時(shí)間為5h~10h。