[發明專利]一種應用于電力產品的反激電路零電壓開通控制方法

有效

• 申請號: 202011406622.6
• 申請日: 2020-12-04
• 公開（公告）號: CN112564498B
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 范建華;王清金;豐明剛;朱建航;張勝強;秦振;徐懷海
• 申請（專利權）人: 青島鼎信通訊股份有限公司
• 主分類號: H02M3/335
• 分類號: H02M3/335;H02M1/38;H02M1/08
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種應用于電力產品的反激電路零電壓開通控制方法，其特征在于，包含以下步驟：

步驟1：初級主開關MOS管VT1打開，初級電感電流以的斜率開始線性上升，副邊同步整流MOS管VT2的漏極電壓被鉗位在初級主開關MOS管VT1關斷，此過程結束，變壓器能量由初級傳到次級；其中V_in為整流橋后的輸入電壓，V_o為輸出電壓，L_p為變壓器初級繞組感量，n為變壓器初次級線圈匝數之比；

步驟2：初級主開關MOS管VT1關斷后其結電容上的電壓被鉗位在V_in+nV_o，變壓器次級電流I_s首先經副邊同步整流MOS管VT2的體二極管續流，在副邊同步整流MOS管VT2的漏極產生一個負壓-Vf，控制模塊中的電壓檢測模塊檢測到這個負向電壓之后觸發驅動模塊1打開副邊同步整流MOS管VT2；其中Vf為MOS管VT2的體二極管的導通電壓；

步驟3：次級電流經過副邊同步整流MOS管VT2續流，初級主開關MOS管VT1關斷后其結電容上的電壓仍然繼續保持在V_in+nV_o，次級電流開始以的斜率下降，副邊同步整流MOS管VT2的漏極電壓為-I_s·R_dson，到次級電流下降到0，副邊同步整流MOS管VT2的漏極電壓變為0V時，副邊同步整流MOS管VT2仍然保持打開；其中L_s為變壓器次級繞組感量，R_dson為MOS管VT2的導通電阻；

步驟4：副邊同步整流MOS管VT2繼續開通，輸出電壓V_o通過次級繞組開始給變壓器反向勵磁，次級電流過零后繼續反向增大，初級主開關管MOS的漏極電壓仍然被鉗位在V_in+nV_o，副邊同步整流MOS管VT2延時導通至次級電流到設定值后將驅動模塊1置位，副邊同步整流MOS管VT2關斷，變壓器儲存的能量從次級傳到初級；

步驟5：變壓器初級產生一個大小為的負向電流，強制變壓器初級電感L_p與初級主開關MOS管VT1的結電容C_oss以此負電流為初始值開始諧振，初級主開關MOS管VT1的漏極電壓開始從V_in+nV_o不斷下降，經過諧振時間后初級主開關MOS管VT1的結電容C_oss上的電壓剛好諧振到零，這時打開初級主開關MOS管VT1就可實現主開關管的零電壓開通。