[發(fā)明專利]氣密性平面合成模塊、混合功率合成裝置及實現(xiàn)方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011394999.4 | 申請日： | 2020-12-03 |
| 公開（公告）號： | CN112201916B | 公開（公告）日： | 2021-02-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 商桂川 | 申請（專利權(quán)）人： | 四川斯艾普電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01P1/213 | 分類號： | H01P1/213;H01P11/00;G01R31/28 |
| 代理公司： | 成都誠中致達專利代理有限公司 51280 | 代理人： | 曹宇杰 |
| 地址： | 610000 四川省成都市成華區(qū)*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氣密性 平面 合成 模塊 混合 功率 裝置 實現(xiàn) 方法 | ||
1.氣密性混合功率合成裝置的實現(xiàn)方法，其特征在于，包括步驟：
提供一E-T結(jié)（12），加工為H型，其一端壁加工出波導輸入口（91），另一端壁加工出波導輸出口（92），連接兩端壁的中間水平部的上側(cè)和下側(cè)分別加工出容納腔，各容納腔均加工出至少一對波導分支口（121），每對波導分支口（121）的其中一個連接波導輸入口（91），另一個連接波導輸出口（92）；
提供至少一對氣密性平面合成模塊（10）：
在殼體（5）一面加工出裝配腔，裝配腔兩端與裝配腔間隔的加工出探針輸入波導口（101）和探針輸出波導口（102），裝配腔兩側(cè)與裝配腔間隔的加工出絕緣子腔，探針輸入波導口（101）和探針輸出波導口（102）的外端分別通過波導口蓋（7）密封，絕緣子腔的外端通過絕緣子蓋（8）密封；
將至少一個功率芯片（1）共晶于裝配腔；將平面合成電路（2）與功率芯片（1）外圍電路一起通過導電膠燒結(jié)于裝配腔；
將平面合成電路（2）輸入端的射頻絕緣子（3）燒結(jié)于殼體（5）并穿過裝配腔連接探針輸入波導口（101），輸出端的射頻絕緣子（3）燒結(jié)于殼體（5）并穿過裝配腔連接探針輸出波導口（102）；
在平面合成電路（2）的兩側(cè)分別連接多個水平設置的水平饋電絕緣子（41），使水平饋電絕緣子（41）穿過裝配腔至殼體（5）的絕緣子腔，在絕緣子腔安裝多個垂直設置的垂直饋電絕緣子（42），使垂直饋電絕緣子（42）向上貫穿殼體（5），使水平饋電絕緣子（41）與垂直饋電絕緣子（42）連接；
在殼體（5）一面通過激光封焊設置封帽蓋（6）以將裝配腔密封；在封帽蓋（6）上通過螺裝方式安裝低頻板（11），并使低頻板（11）與垂直饋電絕緣子（42）連接，低頻板（11）用于功率芯片（1）的饋電；獲得氣密性平面合成模塊（10）；
將氣密性平面合成模塊（10）向E-T結(jié)（12）裝配：分別裝配于上側(cè)及下側(cè)的容納腔，裝配后，氣密性平面合成模塊（10）的探針輸入波導口（101）和探針輸出波導口（102）分別與同一容納腔的一對波導分支口（121）配合對接；
裝配完成，實現(xiàn)氣密性混合功率合成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣密性混合功率合成裝置的實現(xiàn)方法，其特征在于，波導分支口（121）與波導輸入口（91）、波導輸出口（92）垂直連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣密性混合功率合成裝置的實現(xiàn)方法，其特征在于，氣密性平面合成模塊（10）裝配于容納腔后，氣密性平面合成模塊（10）兩端面與E-T結(jié)（12）的端壁內(nèi)表面配合，氣密性平面合成模塊（10）的兩側(cè)面與E-T結(jié)（12）的兩側(cè)面齊平，其中一個氣密性平面合成模塊（10）背面與E-T結(jié)（12）的端壁頂面相匹配，另一個氣密性平面合成模塊（10）背面與E-T結(jié)（12）的端壁底面相匹配，裝配完成的氣密性混合功率合成裝置呈長方體結(jié)構(gòu)。
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