[發明專利]一種集成電路布線方法及裝置有效
| 申請號: | 202011391340.3 | 申請日: | 2020-12-01 |
| 公開(公告)號: | CN112466872B | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發明(設計)人: | 徐愛華;陸琳歡;季林沖;秦遠東;孫梅 | 申請(專利權)人: | 江蘇博沃汽車電子系統有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02 |
| 代理公司: | 蘇州廣正知識產權代理有限公司 32234 | 代理人: | 李猛 |
| 地址: | 226300 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 集成電路 布線 方法 裝置 | ||
1.一種集成電路布線方法,其中,所述方法包括:
獲得第一電路板的第一基礎信息和第一需求信息;
根據所述第一基礎信息,獲得待布置元器件的第一圖像信息,其中,所述第一圖像信息包括所述待布置元器件置于所述第一電路板的布置設計圖信息;
根據所述第一圖像信息,獲得所述待布置元器件的第一密度信息;
判斷所述第一密度信息是否滿足預設密度閾值;
如果滿足所述預設密度閾值,則獲得所述待布置元器件的第二圖像信息,其中,所述第二圖像信息包括所述待布置元器件的引線設計圖信息;
判斷所述第二圖像信息中,所述待布置元器件的引線是否存在交點;
若存在交點,則獲得第一交點數目信息;
根據所述第一需求信息,判斷所述第一交點數據信息是否滿足第一預設條件;
若不滿足所述第一預設條件,則獲得第一修改指令,其中,所述第一修改指令用于對所述第二圖像信息進行修正。
2.如權利要求1所述的方法,其中,所述獲得第一修改指令之前,所述方法還包括:
判斷所述第二圖像信息中,所述待布置元器件的引線是否存在彎折;
若存在彎折,則獲得第一彎折信息,其中,所述第一彎折信息包括彎折角度和彎折數量;
根據所述第一需求信息,判斷所述第一彎折信息是否滿足所述第一預設條件;
若不滿足所述第一預設條件,則獲得第一合并指令,其中,所述第一合并用于將所述第一修改指令合并之后,對所述第二圖像信息進行修正。
3.如權利要求1所述的方法,其中,所述方法還包括:
獲得所述待布置元器件中的第一元器件和第二元器件,其中,所述第一元器件和所述第二元器件為相連接的兩個元器件;
獲得所述第一元器件的引線和所述第二元器件的引線之間的第一長度;
判斷所述第一長度是否為所述第一元器件的引線和所述第二元器件的引線之間的最短長度;
如果所述第一長度不是所述第一元器件的引線和所述第二元器件的引線之間的最短長度,則獲得所述第一元器件的第二基礎信息和所述第二元器件的第三基礎信息;
獲得所述第一長度對于所述第二基礎信息、第三基礎信息的第一影響度;
判斷所述第一影響度是否處于預設影響度閾值范圍內;
若不處于,則獲得第二修改指令,其中,所述第二修改指令用于對所述第一元器件,和/或,所述第二元器件進行修正。
4.如權利要求3所述的方法,其中,所述對所述第一元器件,和/或,所述第二元器件進行修正,還包括:
獲得標準元件信息庫;
根據所述第二修改指令,獲得第一修改信息;
根據所述第一修改信息和所述標準元件信息庫構件第一訓練數據集;
將所述第一訓練數據集輸入第一訓練模型,其中,所述第一訓練模型通過多組訓練數據訓練獲得,所述多組訓練數據中的每一組訓練數據均包括:所述第一修改信息、標準元件信息庫和用來標識第一輸出結果的標識信息;
獲得所述第一訓練模型的輸出信息,其中,所述輸出信息包括所述第一輸出結果,其中,所述第一輸出結果為修正后的所述第一元器件,和/或,所述第二元器件。
5.如權利要求1所述的方法,其中,所述方法還包括:
獲得所述待布置元器件中的第三元器件和第四元器件,其中,所述第三元器件和所述第四元器件為相鄰的兩個元器件;
獲得所述第三元器件的第一功率信息和所述第四元器件的第二功率信息;
獲得所述第一功率信息和所述第二功率信息之間的第一功率差;
判斷所述第一功率差是否超過預設功率差閾值范圍;
若超過,則獲得所述第三元器件和所述第四元器件之間的第一距離;
判斷所述第一距離是否滿足第二預設條件;
若不滿足所述第二預設條件,則獲得第三修改指令,其中,所述第三修改指令用于修改所述第三元器件和所述第四元器件的布置方式,或,對所述第三元器件和/或所述第四元器件進行修正。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





