[發明專利]一種拉晶爐

在審

• 申請號: 202011386508.1
• 申請日: 2020-12-01
• 公開（公告）號: CN112481693A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 全弘湧
• 申請（專利權）人: 西安奕斯偉硅片技術有限公司;西安奕斯偉材料技術有限公司
• 主分類號: C30B15/00
• 分類號: C30B15/00;C30B29/06
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 胡影;李紅標

本發明提供一種拉晶爐，包括：爐體，爐體內限定有腔室，爐體的頂部設有與腔室連通的拉晶口，爐體的底壁設有與腔室連通的出口；基座，基座設在腔室內；坩堝，坩堝設在基座上；阻擋結構，阻擋結構位于腔室中，阻擋結構鄰近爐體的底壁設置且與爐體的底壁間隔開，阻擋結構位于出口的上方。在本發明的實施例中，當排氣管道中的壓力突然增大時，排氣管道中的氣體突然通過出口流入爐體內，當氣體流入爐體內時向上流動的氣體被阻擋結構阻擋，減小氣流的擾動，避免因爐體或排氣管道壓力異常發生瞬間性的氧化物倒吸，防止外部氣體對爐體內部的氣氛造成影響，避免影響晶棒的生長。

技術領域

本發明涉及拉晶爐技術領域，具體涉及一種拉晶爐。

背景技術

生產單晶硅棒時，在石英坩堝內填充多晶硅，熔化多晶硅，通過種子結晶與熔液面接觸生長單晶晶棒。在石英坩堝中充填多晶硅后，把坩堝安裝在爐室內，然后熔化多晶硅，在熔化過程中產生很多氧化物，產生的氧化物從爐體流入到排氣管道，再通過排氣管道排出。但是進行拉晶工藝的過程中，如果爐體內部和排氣管道內部出現壓力異常(比如，爐體內壓力突然降低或排氣管道瞬間壓力升高)，排氣管道內部的氧化物就會逆流入爐體內部，甚至會進入熔液里面，在生長晶棒過程中會誘發錯位，影響晶棒質量。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種拉晶爐，用以解決由于爐體或排氣管道壓力異常發生瞬間性的氧化物氣流倒吸，影響晶棒生長的問題。

為解決上述技術問題，本發明采用以下技術方案：

根據本發明實施例的拉晶爐，包括：

爐體，所述爐體內限定有腔室，所述爐體的頂部設有與所述腔室連通的拉晶口，所述爐體的底壁設有與所述腔室連通的出口；

基座，所述基座設在所述腔室內；

坩堝，所述坩堝設在所述基座上；

阻擋結構，所述阻擋結構位于所述腔室中，所述阻擋結構鄰近所述爐體的底壁設置且與所述爐體的底壁間隔開，所述阻擋結構位于所述出口的上方。

其中，所述阻擋結構為板狀，所述阻擋結構的軸線與所述出口的軸線共線。

其中，所述阻擋結構沿所述出口的軸線方向可移動。

其中，還包括：

支撐架，所述支撐架的上端與所述阻擋結構相連，所述支撐架的下端與所述爐體的底壁相連，所述支撐架在所述出口的軸線方向上的長度可調節。

其中，所述出口在第一平面上的正投影位于所述阻擋結構在所述第一平面上的正投影內，所述第一平面與所述爐體的軸線垂直。

其中，所述阻擋結構的底側與所述出口相應的位置設有容納腔體。

其中，所述出口在第一平面上的正投影位于所述容納腔體在所述第一平面上的正投影內，所述第一平面與所述爐體的軸線垂直。

其中，所述爐體的底部設有多個所述出口，每個所述出口的上方分別設置一個所述阻擋結構。

其中，多個所述出口沿所述爐體的周向間隔開分布。

其中，所述爐體的外部分別設有支管和匯流管，每個所述出口分別與對應的所述支管的一端連通，每個所述支管的另一端分別與所述匯流管連通。

其中，所述坩堝的外側設有加熱器，所述加熱器與所述爐體的內壁之間設有隔熱材料；和/或

所述基座的外側壁上設有隔熱材料。

其中，所述阻擋結構為隔熱材料件。