[發(fā)明專利]磁記錄介質(zhì)及其制造方法以及磁存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011381766.0
• 申請(qǐng)日: 2020-12-01
• 公開（公告）號(hào): CN113053423B
• 公開（公告）日: 2022-06-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 福島隆之;張磊;徐晨;柴田壽人;山口健洋;小柳浩;梅本裕二
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昭和電工株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B5/851
• 分類號(hào): G11B5/851;G11B5/82;G11B5/706
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 金世煜;朝魯門

本發(fā)明提供一種能夠使磁性層的(001)取向性提高的磁記錄介質(zhì)，磁記錄介質(zhì)(100)依次具有基板(1)、基底層(2)以及磁性層(30)，基底層(2)具有第一基底層(21)，該第一基底層包括由通式MgO_(1－X)表示的化合物，該通式中，X在0.07～0.25的范圍內(nèi)，磁性層(3)包括具有L1₀構(gòu)造的合金，具有L1₀構(gòu)造的合金具有包括B的第一磁性層(31)，第一基底層(21)與第一磁性層(31)相接。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及磁記錄介質(zhì)、磁記錄介質(zhì)的制造方法以及磁存儲(chǔ)裝置。

背景技術(shù)

熱輔助記錄方式作為能夠?qū)崿F(xiàn)1Tbit/inch²級(jí)的面記錄密度的次世代的記錄方式為人關(guān)注，該熱輔助記錄方式對(duì)磁記錄介質(zhì)照射近場(chǎng)光等以對(duì)其表面進(jìn)行局部加熱，從而使磁記錄介質(zhì)的矯頑力降低，由此記錄磁信息。使用熱輔助記錄方式時(shí)，通過磁頭的記錄磁場(chǎng)，能夠容易地在室溫中的矯頑力為數(shù)十kOe的磁記錄介質(zhì)上記錄磁信息。因此，能夠?qū)⒔Y(jié)晶磁各向異性常數(shù)(Ku)為10⁶J/m³左右的高Ku材料應(yīng)用于磁性層，其結(jié)果，能夠在維持熱穩(wěn)定性的同時(shí)，使構(gòu)成磁性層的磁性粒子的粒徑微細(xì)化至6nm以下。

作為高Ku材料，公知有FePt合金(Ku～7×10⁶J/m³)、CoPt合金(Ku～5×10⁶J/m³)等的具有L1₀構(gòu)造的合金。

為了使熱輔助磁記錄介質(zhì)的面記錄密度提高，需要通過使磁性層的結(jié)晶取向性提高，使構(gòu)成磁性層的磁性粒子微細(xì)化，降低磁性粒子間的交換結(jié)合，從而使熱輔助磁記錄介質(zhì)的電磁變換特性提高。

例如，作為磁性層使用FePt合金膜的情況下，為了提高磁性層的結(jié)晶取向性，F(xiàn)ePt合金膜需要為(001)取向。因此，作為基底層，優(yōu)選使用(100)取向的MgO層。在此，MgO的(100)面與具有L1₀結(jié)構(gòu)的FePt合金的(001)面晶格匹配性高，因此通過在MgO層之上成膜FePt合金膜，能夠使FePt合金膜為(001)取向。

專利文獻(xiàn)1中，公開了具有由通式{(Fe_xPt_100－x)_(100－y)B_y}_(100－z)C_z(根據(jù)原子比30≦x≦80，1≦y≦20，3≦z≦65)表示的組成的燒結(jié)體所構(gòu)成的用于形成磁記錄介質(zhì)膜的濺射靶。

(現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn))

(專利文獻(xiàn))

專利文獻(xiàn)1：日本特開2014－41682號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

(本發(fā)明要解決的問題)

使磁記錄介質(zhì)的面記錄密度提高的要求沒有停止，需求使磁記錄介質(zhì)的電磁變換特性提高。由此，需要使磁性膜的有序度提高，使磁性層的取向性提高。

于是，作為磁性層，考慮使用FePtB合金膜。

但是，在MgO層之上成膜FePtB合金膜的話，F(xiàn)ePtB合金中的B與MgO中的氧相互擴(kuò)散，生成氧化硼，其結(jié)果，F(xiàn)ePtB合金膜的(001)取向性降低。

本發(fā)明的一方面的目的在于，提供一種能夠使磁性層的(001)取向性提高的磁記錄介質(zhì)。

(用于解決問題的手段)