[發明專利]磁記錄介質及其制造方法以及磁存儲裝置有效
| 申請號： | 202011381766.0 | 申請日： | 2020-12-01 |
| 公開（公告）號： | CN113053423B | 公開（公告）日： | 2022-06-28 |
| 發明（設計）人： | 福島隆之;張磊;徐晨;柴田壽人;山口健洋;小柳浩;梅本裕二 | 申請（專利權）人： | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號： | G11B5/851 | 分類號： | G11B5/851;G11B5/82;G11B5/706 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 金世煜;朝魯門 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 記錄 介質 及其 制造 方法 以及 存儲 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種磁記錄介質，其依次具有基板、基底層、以及磁性層，
上述基底層具有第一基底層，該第一基底層包括由通式MgO(1－X)表示的化合物，該通式中，X在0.07～0.25的范圍內，
上述磁性層包括具有L10構造的合金，上述具有L10構造的合金具有包括B的第一磁性層，
上述第一基底層與上述第一磁性層相接。
2.根據權利要求1所述的磁記錄介質，其中，所述B的含量為2.5mol％～10mol％。
3.根據權利要求1所述的磁記錄介質，其中，所述B的含量為2.5mol％～5mol％。
4.一種權利要求1中記載的磁記錄介質的制造方法，其中，包括如下工序：
使用包括MgO的濺射靶以及在惰性氣體中添加有1體積％～20體積％的范圍內的氫的濺射氣體，來成膜上述第一基底層。
5.一種權利要求1中記載的磁記錄介質的制造方法，其中，包括如下工序：
使用包括MgO的濺射靶，以1Pa以上的濺射氣體圧放電0.5秒以下的時間后，以0.5Pa以下的濺射氣體圧放電，來成膜上述第一基底層。
6.一種磁存儲裝置，其具有權利要求1中記載的磁記錄介質。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于昭和電工株式會社，未經昭和電工株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011381766.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：自動駕駛車輛用信息提示裝置
- 下一篇：多級交換拓撲
