[發(fā)明專利]電子設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011379059.8
• 申請(qǐng)日: 2020-11-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112542678A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 路寶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: OPPO廣東移動(dòng)通信有限公司
• 主分類號(hào): H01Q1/24
• 分類號(hào): H01Q1/24;H01Q1/36;H01Q1/44;H01Q1/50
• 代理公司: 深圳市智圈知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44351
• 代理人: 譚逢

1.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括電路板以及天線裝置，所述天線裝置設(shè)置于所述電路板的一側(cè)；所述天線裝置包括輻射體以及設(shè)置于所述輻射體的饋電點(diǎn)；

所述電路板設(shè)有電路區(qū)以及空缺區(qū)，所述電路區(qū)用于布置電路走線，所述電路區(qū)設(shè)有饋電端，所述饋電端與所述饋電點(diǎn)電性連接，并用于經(jīng)由所述饋電點(diǎn)將激勵(lì)電流饋入至所述輻射體，所述激勵(lì)電流在所述輻射體上形成有強(qiáng)電流區(qū)域，所述空缺區(qū)與所述強(qiáng)電流區(qū)域相對(duì)設(shè)置；所述電路區(qū)環(huán)繞在所述空缺區(qū)的至少部分外緣；所述空缺區(qū)被配置為使所述電路區(qū)的電流流向遠(yuǎn)離所述空缺區(qū)的一側(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述空缺區(qū)為位于所述電路板上靠近所述輻射體的一側(cè)的缺口，所述缺口貫通所述電路板朝向所述輻射體的一側(cè)。

3.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述空缺區(qū)為開(kāi)設(shè)于所述電路板上靠近所述輻射體的一側(cè)的通孔，所述通孔貫穿所述電路板的相對(duì)兩個(gè)表面。

4.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備還包括邊框，所述天線裝置集成于所述邊框，所述電路板的所述電路區(qū)與所述邊框相間隔設(shè)置，以使所述電路區(qū)與所述輻射體相間隔。

5.如權(quán)利要求4所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述輻射體為片狀，所述輻射體設(shè)置于所述邊框并與所述電路板所在平面垂直。

6.如權(quán)利要求4所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述空缺區(qū)設(shè)置有耦合金屬片，所述耦合金屬片與所述輻射體之間設(shè)有預(yù)定的間隙，所述金屬耦合片與所述電路區(qū)之間、與所述輻射體之間均不存在電連接關(guān)系；所述耦合金屬片被配置為與所述輻射體發(fā)生耦合。

7.如權(quán)利要求6所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述耦合金屬片與所述輻射體上自所述饋電點(diǎn)到輻射末端之間的部分相對(duì)，所述耦合金屬片與所述輻射體之間的間隙寬度小于所述天線裝置的工作頻段中心頻點(diǎn)的四分之一波長(zhǎng)。

8.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述電子設(shè)備還包括功能模組和電感，所述功能模組設(shè)置于所述空缺區(qū)，所述電感與所述電路區(qū)電性連接，并與所述功能模組串聯(lián)。

9.如權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述功能模組包括麥克風(fēng)。

10.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述殼體包括承載部以及連接于所述承載部的邊框，所述邊框設(shè)有與外界連通的縫隙；所述輻射體集成于所述邊框上，并位于所述縫隙的一側(cè)。

11.如權(quán)利要求10所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述邊框至少部分由金屬制成；所述饋電點(diǎn)設(shè)置于所述邊框，使金屬制成的所述邊框被配置成為輻射體以發(fā)射或接收信號(hào)；將所述空缺區(qū)的輪廓向所述邊框投影時(shí)，所述空缺區(qū)的輪廓投影覆蓋所述縫隙以及所述輻射體的至少部分結(jié)構(gòu)。

12.如權(quán)利要求1～11中任一項(xiàng)所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述空缺區(qū)的至少部分區(qū)域與所述饋電點(diǎn)相對(duì)。

13.如權(quán)利要求12所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述天線裝置還包括設(shè)置于所述輻射體的接地點(diǎn)，所述空缺區(qū)至少部分區(qū)域與所述接地點(diǎn)相對(duì)，將所述空缺區(qū)的輪廓向所述輻射體投影時(shí)，所述空缺區(qū)的輪廓投影覆蓋所述饋電點(diǎn)及所述接地點(diǎn)。