[發明專利]一種3D NAND存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 202011373452.6
• 申請日: 2020-11-30
• 公開（公告）號: CN112466890B
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 何亞東
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 楊麗爽

1.一種3D NAND存儲器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上形成有柵極層和絕緣層交替層疊的堆疊層，以及貫穿所述堆疊層的柵線縫隙，所述柵線縫隙暴露的襯底中形成有陣列共源摻雜區；

在所述柵線縫隙中填充介質層，所述介質層中形成有間隙，所述間隙為真空狀態；所述介質層的材料根據所述堆疊層的翹曲度確定；

從所述襯底的背面形成所述陣列共源摻雜區的接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述介質層包括第一介質層和第二介質層；

則所述在所述柵線縫隙中填充介質層，所述介質層中形成有間隙，包括：

在所述柵線縫隙暴露的表面上形成第一介質層；

在所述柵線縫隙中填充第二介質層，所述第二介質層中形成有間隙。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二介質層的材料根據所述堆疊層的翹曲度確定。

4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述柵線縫隙暴露的表面上形成第一介質層包括：

在45℃～55℃條件下，利用原子層沉積方法在所述柵線縫隙暴露的表面上形成第一介質層。

5.根據權利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述第一介質層和所述第二介質層為相同的材料。

6.根據權利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述柵線縫隙側壁的柵極層具有缺口，所述缺口和相鄰的絕緣層形成溝槽；

所述在所述柵線縫隙的暴露的表面上形成第一介質層，包括：

在所述溝槽內填充第一介質層。

7.一種3D NAND存儲器件，其特征在于，包括：

襯底；

所述襯底上形成有柵極層和絕緣層交替層疊的堆疊層，以及貫穿所述堆疊層的柵線縫隙，所述柵線縫隙暴露的襯底中形成有陣列共源摻雜區；

所述柵線縫隙中填充有介質層，所述介質層中形成有間隙，所述間隙為真空狀態；所述介質層的材料根據所述堆疊層的翹曲度確定；

從所述襯底的背面貫穿至所述陣列共源摻雜區的接觸。

8.根據權利要求7所述的器件，其特征在于，所述介質層包括第一介質層和第二介質層；

所述柵線縫隙暴露的表面上形成有第一介質層；

所述柵線縫隙中填充有第二介質層，所述第二介質層中形成有間隙。

9.根據權利要求8所述的器件，其特征在于，所述第二介質層的材料根據所述堆疊層的翹曲度確定。

10.根據權利要求9所述的器件，其特征在于，所述柵線縫隙側壁的柵極層具有缺口，所述缺口和相鄰的絕緣層形成溝槽，

所述溝槽內填充有第一介質層。