[發明專利]具有納米級圖形化尺寸的光刻掩膜版及其制備方法在審
| 申請號： | 202011369250.4 | 申請日： | 2020-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN112346295A | 公開（公告）日： | 2021-02-09 |
| 發明（設計）人： | 王峰 | 申請（專利權）人： | 蘇州瑞而美光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/38 | 分類號： | G03F1/38;G03F1/46;G03F1/48;G03F1/68;G03F7/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴;丁浩秋 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市太倉市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 納米 圖形 尺寸 光刻 掩膜版 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有納米級圖形化尺寸的光刻掩膜版，包括具有第一表面和第二表面的透明基板，其特征在于，所述透明基板的第一表面設置有掩膜層，所述掩膜層設置有納米級圖形化結構，所述透明基板的第二表面設置有光子晶體增透層。
2.根據權利要求1所述的具有納米級圖形化尺寸的光刻掩膜版，其特征在于，所述掩膜層利用濺射或電子束蒸發工藝鍍膜在透明基板上，所述掩膜層的材質為金屬鉻材料、硅材料、非透明氧化鋁材料、氧化鐵材料中的一種或多種混合，所述掩膜層的厚度為100-200nm。
3.根據權利要求1所述的具有納米級圖形化尺寸的光刻掩膜版，其特征在于，所述掩膜層上設置有鈍化層，所述鈍化層材質為透明氧化鋁材料、氮化硅材料、氧化硅材料中的一種或多種混合。
4.根據權利要求3所述的具有納米級圖形化尺寸的光刻掩膜版，其特征在于，所述鈍化層的厚度為入射紫外光的1/4波長的奇數倍。
5.根據權利要求1所述的具有納米級圖形化尺寸的光刻掩膜版，其特征在于，所述掩膜層的納米級圖形化結構和光子晶體增透層通過納米壓印模板壓印后刻蝕得到。
6.根據權利要求1所述的具有納米級圖形化尺寸的光刻掩膜版，其特征在于，所述光子晶體增透層的納米結構為陣列排布的微透鏡結構，所述微透鏡的弧度為0.5～3rad，所述微透鏡的高度為150～400nm。
7.一種具有納米級圖形化尺寸的光刻掩膜版的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S01：在透明基板的第一表面利用濺射或電子束蒸發工藝鍍膜掩膜層；
S02：在掩膜層上設置納米級圖形化結構；
S03：在透明基板的第二表面設置光子晶體增透層。
8.根據權利要求7所述的具有納米級圖形化尺寸的光刻掩膜版的制備方法，其特征在于，所述步驟S02在掩膜層上設置納米級圖形化結構的方法包括：
S21：在掩膜層的表面涂UV感光膠；
S22：用帶有圖形化結構的納米壓印模板壓印在UV感光膠上，通過UV光照射固化成型，脫模取下納米壓印模板；
S23：通過ICP刻蝕工藝在沒有膠阻擋的區域刻蝕出相應的圖形化結構，最后去膠形成具有納米級圖形化結構的掩膜層。
9.根據權利要求7所述的具有納米級圖形化尺寸的光刻掩膜版的制備方法，其特征在于，所述步驟S03光子晶體增透層的制作方法包括：
S31：在透明基板的第二表面涂UV感光膠；
S32：用帶有光子晶體結構的納米壓印模板壓印在UV感光膠上，通過UV光照射固化成型，脫模取下納米壓印模板；
S33：通過ICP刻蝕工藝在沒有膠阻擋的區域刻蝕出相應的光子晶體結構，最后去膠形成光子晶體增透層。
10.根據權利要求9所述的具有納米級圖形化尺寸的光刻掩膜版的制備方法，其特征在于，所述光子晶體增透層的納米結構為陣列排布的微透鏡結構，所述微透鏡的弧度為0.5～3rad，所述微透鏡的高度為150～400nm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于蘇州瑞而美光電科技有限公司，未經蘇州瑞而美光電科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011369250.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：設備外觀圖像亮度調節方法及裝置
- 下一篇：煙草加香機
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
