[發明專利]一種多層材料的非選擇性濕法腐蝕方法及其應用

有效

• 申請號: 202011363519.8
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112582262B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 武艷青;趙潤;車相輝;姚文港;董風鑫
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311
• 代理公司: 石家莊國為知識產權事務所 13120
• 代理人: 李坤

1.一種多層材料的非選擇性濕法腐蝕方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1，在具有多層結構的基片上涂布電子束光刻膠、曝光、顯影、堅膜，得到腐蝕窗口，去除腐蝕窗口的殘余膠膜；

步驟S2，將步驟S1所得基片放入非選擇性濕法腐蝕液中，腐蝕至第一預設深度后取出，用去離子水沖洗基片表面；

步驟S3，再次將基片放入所述非選擇性濕法腐蝕液中，腐蝕至第二預設深度后取出，用去離子水沖洗基片表面；

步驟S4，重復步驟S3直至腐蝕到目標深度；

步驟S5，將基片取出沖水、干燥后，去除光刻掩膜，即完成腐蝕工藝；

其中，采用的非選擇性 濕法腐蝕液為體積比為1.9-2.1:1:14-16的溴化氫溶液、雙氧水和水的混合溶液，所述溴化氫溶液的濃度為40-45wt％，雙氧水的濃度為30-35wt％；

步驟S1中，所述腐蝕窗口的寬度為1-20μm；步驟S2中，所述第一預設深度為0.7-1.3μm；步驟S3中，所述第二預設深度為0.7-1.3μm；步驟S4中，所述目標深度為2.5-7.5μm。

2.如權利要求1所述的多層材料的非選擇性濕法腐蝕方法，其特征在于，步驟S2至步驟S4中，所述去離子水的沖洗流量為1.5-4.5L/min，沖洗時間為10-20s。

3.如權利要求1所述的多層材料的非選擇性濕法腐蝕方法，其特征在于，步驟S5中，所述沖水的流量為1.5-4.5L/min，沖水時間為3-5min。

4.如權利要求1所述的多層材料的非選擇性濕法腐蝕方法，其特征在于，所述具有多層結構的基片為由InP、InGaAsP、InGaAs、AlInAs、AlGaInAs或AlGaAs中至少兩種材料組成的基片。

5.如權利要求1所述的多層材料的非選擇性濕法腐蝕方法，其特征在于，所述非選擇性濕法腐蝕液的制備方法包括如下步驟：按照設計配比量取各組分，將各組分混合均勻后，于20-25℃條件下靜置30-45min，即得所述非選擇性 濕法腐蝕液。

6.權利要求1-5任一項所述的非選擇性濕法腐蝕方法在具有多層材料結構的半導體激光器芯片隔離槽或劃片槽制備中的應用。