[發明專利]增大銅層工藝窗口的OPC方法和OPC模塊

有效

• 申請號: 202011355747.0
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112485973B
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 劉佳琦
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 焦天雷

本發明公開了一種增大銅層工藝窗口的OPC方法，包括：在圖形選出高度大于第一閾值的Jog；指定第一插入Jog的高度H和長度L,計算第一插入Jog的數量n；檢測選出Jog距離(n?1)*L范圍內有無其他Jog；如有，則將檢測到的Jog向遠離選出Jog的方向平移(n?1)*L的距離，n＞1的自然數；以選出的Jog的凹角處為起點，將第一插入Jog全部逐級插入，前(n?1)級第一插入Jog高度為H，使第n級第一插入Jog與選出Jog邊齊平；對每一級Jog檢測MRC，若某一級Jog違反MRC，則在該級Jog凹角前再插入一個第二插入Jog，使其滿足MRC；對該層做OPC操作，獲得修正掩模版圖形。本發明還公開了一種增大銅層工藝窗口的OPC模塊。本發明根據待修正Jog周圍環境使Retargeting層在疏密交接區域變換平緩降低銅層Open風險，增大銅層工藝窗口。

技術領域

本發明涉及集成電路生產制造領域，特別是涉及一種增大銅層工藝窗口的OPC方法。本發明還涉及一種增大銅層工藝窗口的OPC模塊。

背景技術

在先進半導體工藝中，光學臨近修正(Optical Proximity Correction,OPC)已經是不可缺少的流程之一。為了彌補顯影后檢測(After Development Inspection,ADI)和刻蝕后檢測(After Etching Inspection,AEI)圖形的差異，OPC會修改原設計圖形的線寬(Retargeting)，使圖形的線寬(CD)和間距(Space)更接近1:1。在后道工序(Back End ofLine,BEOL)中，銅層的環境復雜，單個圖形周圍有較多疏密交接的情況，因此銅層在此處Retargeting后的CD變化劇烈，有很多Jog會出現。當這類Jog的高度較大，銅層CD變化起伏較劇烈時，Retargeting后銅層的工藝窗口會變小，銅層的ADI圖形會有Open的風險。通常解決這種問題的方法是平滑Retargeting層，在大Jog處加入一個或多個小Jog。然而，目前Jog處Retargeting層平滑的流程較為簡易，不能對Jog周圍的環境進行判斷，不能固定已加入小Jog的位置，且不能進行掩模板規則檢查(Mask Rule Check,MRC)。因此，疏密交接處的大Jog會引入銅層Open的風險。

發明內容

在發明內容部分中引入了一系列簡化形式的概念,該簡化形式的概念均為本領域現有技術簡化，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明的發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。

本發明要解決的技術問題是提供一種能根據待修正Jog周圍環境使設計圖形線寬改變層(Retargeting)在疏密交接區域變換平緩降低銅層Open風險，增大銅層工藝窗口的OPC方法。

本發明要解決的另一技術問題是提供一種能根據待修正Jog周圍環境使Retargeting層在疏密交接區域變換平緩降低銅層Open風險，增大銅層工藝窗口的OPC模塊。

為解決上述技術問題，本發明提供的增大銅層工藝窗口的OPC方法，包括以下步驟：

S1，在圖形中選出待修正Jog,Jog是圖形分段邊有高度差的臺階狀位置；

S2，指定第一插入Jog的高度H和長度L,計算第一插入Jog的數量n；

S3，檢測選出Jog距離(n-1)*L范圍內有無其他Jog；如有，則將檢測到的Jog向遠離選出Jog的方向平移(n-1)*L的距離，n＞1的自然數；

S4，以選出的Jog的凹角處為起點，將第一插入Jog全部逐級插入，前(n-1)級第一插入Jog高度為H，使第n級第一插入Jog與選出Jog邊齊平；

S5，對每一級Jog檢測MRC，若某一級Jog違反MRC，則在該級Jog凹角前再插入一個第二插入Jog，使其滿足MRC；

S6，對該層做OPC操作，獲得修正掩模版圖形。