[發(fā)明專利]一種等離子轉(zhuǎn)移弧硅粉生產(chǎn)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011352489.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112551530A | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 柴立新;汪艷春;馬仁友 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 寧波廣新納米材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | C01B33/06 | 分類號(hào): | C01B33/06;C01B33/021;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京金智普華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401 | 代理人: | 徐會(huì)娟 |
| 地址: | 315155 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 等離子 轉(zhuǎn)移 弧硅粉 生產(chǎn) 方法 | ||
1.一種等離子轉(zhuǎn)移弧硅粉生產(chǎn)方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1、取原料填裝在反應(yīng)器(2)的石墨坩堝(1)內(nèi);
步驟2、將反應(yīng)器(2)抽真空至小于等于10kPa后,通入氬氣,并控制反應(yīng)器(2)內(nèi)壓強(qiáng)為70-100kPa;
步驟3、點(diǎn)火起弧,使電弧在等離子槍與原料之間燃燒,控制等離子槍電流小于500A,并在使得石墨坩堝(1)內(nèi)原料的溫度大于等于1600℃時(shí),保持等離子槍電流與原料溫度穩(wěn)定,至原料完全熔融后繼續(xù)步驟4;
步驟4、增大等離子槍電流大小,并控制等離子槍電流為500-600A;
步驟5、熔融的原料逐漸蒸發(fā)成相應(yīng)粒子后進(jìn)入冷凝器(3)中,冷凝器(3)內(nèi)通入冷卻氣體以令蒸發(fā)的原料結(jié)晶成核,并形成硅粉體,控制冷卻溫度為400-500℃,冷卻氣體流速為6-10m/s;
步驟6、收集器(4)收集硅粉體,并進(jìn)一步冷卻后獲得硅粉體,冷卻溫度為80-150℃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子轉(zhuǎn)移弧硅粉生產(chǎn)方法,其特征在于:在步驟1中,向所述石墨坩堝(1)內(nèi)插入銅條,所述銅條用于引弧電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子轉(zhuǎn)移弧硅粉生產(chǎn)方法,其特征在于:在步驟2中,所述氬氣經(jīng)引風(fēng)機(jī)與收集器(4)循環(huán)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子轉(zhuǎn)移弧硅粉生產(chǎn)方法,其特征在于:在步驟4中,控制電壓為140-160V。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子轉(zhuǎn)移弧硅粉生產(chǎn)方法,其特征在于:在步驟6中,所述硅粉體的粒徑為10-200nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子轉(zhuǎn)移弧硅粉生產(chǎn)方法,其特征在于:在步驟6中,收集器(4)收集形成的硅粉體經(jīng)反吹裝置逆行反吹后由收粉器收集。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種等離子轉(zhuǎn)移弧硅粉生產(chǎn)方法,其特征在于:所述反吹裝置的反吹壓力控制在0.5-0.6MPa。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子轉(zhuǎn)移弧硅粉生產(chǎn)方法,其特征在于:所述硅粉體呈球狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種等離子轉(zhuǎn)移弧硅粉生產(chǎn)方法,其特征在于:所述硅粉體為硅粉、硅化鐵粉或硅化錳粉。
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