[發明專利]一種用于TOPCon電池的鏈式濕法刻蝕設備

有效

• 申請號: 202011351256.9
• 申請日: 2020-11-27
• 公開（公告）號: CN112185865B
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 沈夢超;顧振華;張勝軍;緒欣;許佳平;曹育紅;符黎明
• 申請（專利權）人: 常州時創能源股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種用于TOPCon電池的鏈式濕法刻蝕設備，其特征在于：包括五個功能區以及貫穿每個功能區的傳送裝置；所述五個功能區為第一酸洗區（1）、第一堿洗區（2）、第二酸洗區（3）、第二堿洗區（4）和第三酸洗區（5）；所述第一酸洗區（1）、第二酸洗區（3）和第三酸洗區（5）的溶液為氫氟酸溶液；所述第一堿洗區（2）和第二堿洗區（4）的溶液為氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液；待刻蝕硅片利用傳送裝置依次通過第一酸洗區（1）、第一堿洗區（2）、第二酸洗區（3）、第二堿洗區（4）和第三酸洗區（5）；

所述第一酸洗區（1）為去PSG區，硅片正面只與第一酸洗區（1）的酸液接觸反應，用于去除硅片正面和側面的PSG層（107）；

所述第一堿洗區（2）為去除繞鍍多晶硅區，硅片正面和背面均經過第一堿洗區（2）堿洗，用于去除硅片正面和側面繞鍍的摻磷多晶硅層（106）；

所述第二酸洗區（3）為去隧穿層區，硅片正面和背面均經過第二酸洗區（3）酸洗，或者硅片正面只與第二酸洗區3的酸液接觸反應，用于去除硅片側面的隧穿氧化層（105）；

所述第二堿洗區（4）為邊緣隔離區，硅片正面和背面均經過第二堿洗區（4）堿洗，用于去除硅片側面的磷摻雜層（104）；

所述第三酸洗區（5）為脫水區，硅片正面和背面均經過第三酸洗區（5）酸洗，用于去除硅片正面的掩膜層（103）和硅片背面的PSG層（107）。

2.根據權利要求1所述的鏈式濕法刻蝕設備，其特征在于：還包括設置在每個功能區之后的水洗區（6）。

3.根據權利要求1所述的鏈式濕法刻蝕設備，其特征在于：所述傳送裝置在第一酸洗區（1）設有水平排列的下滾輪組，所述傳送裝置在第一堿洗區（2）、第二酸洗區（3）、第二堿洗區（4）和第三酸洗區（5）設有水平排列的下滾輪組以及與下滾輪組上下對應的上滾輪組。

4.根據權利要求3所述的鏈式濕法刻蝕設備，其特征在于：所述第一酸洗區（1）的溶液液面低于下滾輪組的上切面；所述第一堿洗區（2）、第二酸洗區（3）、第二堿洗區（4）和第三酸洗區（5）的溶液液面高于下滾輪組的上切面。

5.根據權利要求1所述的鏈式濕法刻蝕設備，其特征在于：所述傳送裝置在第一酸洗區（1）和第二酸洗區（3）設有水平排列的下滾輪組，所述傳送裝置在第一堿洗區（2）、第二堿洗區（4）和第三酸洗區（5）設有水平排列的下滾輪組以及與下滾輪組上下對應的上滾輪組。

6.根據權利要求5所述的鏈式濕法刻蝕設備，其特征在于：所述第一酸洗區（1）和第二酸洗區（3）的溶液液面低于下滾輪組的上切面；所述第一堿洗區（2）、第二堿洗區（4）和第三酸洗區（5）的溶液液面高于下滾輪組的上切面。

7.根據權利要求1所述的鏈式濕法刻蝕設備，其特征在于：所述第一堿洗區（2）和所述第二堿洗區（4）的內部還設置有加熱系統（8）。

8.根據權利要求1所述的鏈式濕法刻蝕設備，其特征在于：所述第一酸洗區（1）的入口處還設置有水膜區（9）。

9.根據權利要求1所述的鏈式濕法刻蝕設備，其特征在于：所述氫氟酸溶液的濃度為1~30%。

10.根據權利要求1所述的鏈式濕法刻蝕設備，其特征在于：所述氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液的濃度為1~40%。