[發明專利]半導體裝置、半導體裝置封裝及其制造方法

在審

• 申請號: 202011335117.7
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN112951814A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 黃文宏
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種電容器結構，其包括：

第一金屬層，其具有第一表面以及與所述第一表面相對的第二表面；

第一金屬氧化物層，其在所述第一金屬層的所述第一表面上；

第二金屬氧化物層，其在所述第一金屬層的所述第二表面上；

第一導電部件，其穿透所述電容器結構并且與所述第一金屬層電隔離；

第二導電部件，其電連接到所述第一金屬層；以及

金屬復合結構，其安置在所述第二導電部件與所述第一金屬層之間。

2.根據權利要求1所述的電容器結構，其中所述金屬復合結構包括屏障層以及金屬粘附層。

3.根據權利要求2所述的電容器結構，其中所述金屬粘附層具有在所述屏障層的氧化還原電勢與所述第一金屬層的氧化還原電勢之間的范圍內的氧化還原電勢。

4.根據權利要求2所述的電容器結構，其中所述屏障層包括Ti、TiN、Ta、TaN、WTi、Co、Ni以及Pt中的一個。

5.根據權利要求2所述的電容器結構，其中所述金屬粘附層包括Mn、Zn、Fe、Cd以及Co中的一個。

6.根據權利要求2所述的電容器結構，其中所述金屬粘附層安置在所述第一金屬層與所述屏障層之間并且所述屏障層安置在所述金屬粘附層與所述第二導電部件之間。

7.根據權利要求2所述的電容器結構，其中所述屏障層的厚度在約1000到約2000埃的范圍內。

8.根據權利要求1所述的電容器結構，其中所述第二導電部件穿透所述電容器結構，且所述金屬復合結構安置在所述第二導電部件的側表面與所述第一金屬層的側表面之間。

9.根據權利要求1所述的電容器結構，其中所述金屬復合結構安置在由所述第一金屬氧化物層、所述第二金屬氧化物層以及所述第一金屬層的側表面限定的凹陷中。

10.根據權利要求1所述的電容器結構，其中所述第一金屬層的所述第一表面的一部分從所述第一金屬氧化物層暴露并且連同所述第一金屬氧化物層一起限定凹陷，且其中所述金屬復合結構安置在所述凹陷中。

11.根據權利要求1所述的電容器結構，其進一步包括在第一金屬氧化物層上的第二金屬層，其中所述第二導電部件電連接到所述第二金屬層。

12.一種半導體裝置封裝，其包括：

電容器結構，其包括：

第一金屬層，其具有第一表面以及與所述第一表面相對的第二表面，

第一金屬氧化物層，其在所述第一金屬層的所述第一表面上，

第二金屬氧化物層，其在所述第一金屬層的所述第二表面上，

第一導電部件，其穿透所述電容器結構并且與所述第一金屬層電隔離，

第二導電部件，其電連接到所述第一金屬層，以及

金屬復合結構，其安置在所述第二導電部件與所述第一金屬層之間；以及

第一再分布層RDL，其安置在所述電容器結構的頂部表面上。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置封裝，其中所述半導體裝置封裝呈條帶形式。

14.根據權利要求12所述的半導體裝置封裝，其進一步包括安置在所述第一RDL上的一或多個電子組件。

15.根據權利要求12所述的半導體裝置封裝，其進一步包括安置在所述電容器結構的底部表面上的第二RDL。